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龙图腾网获悉武汉铭宇光电技术有限公司申请的专利具有任意像距的防伪图案生成方法、设备及可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120375702B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410448463.8，技术领域涉及：G09F3/03；该发明授权具有任意像距的防伪图案生成方法、设备及可读存储介质是由邹彬渔设计研发完成，并于2024-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有任意像距的防伪图案生成方法、设备及可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有任意像距的防伪图案生成方法，包括以下步骤：S1、设计图案数据处理；S2、基础成像微结构计算；S3、按阵列规则获取轴心坐标；S4、计算得到异形成像微结构；S5、根据排列规则循环生成得到异形成像微结构阵列，点光源照射在异形成像微结构阵列时，实现成像的防伪图案；通过本发明的方式制作的具有任意的像距防伪图案膜，可以实现任意距离浮于空中的效果和沉于膜底部的效果，不亚于双层的微透镜成像技术，且由于其结构为单层，在工艺上与传统全息防伪膜制备无区别，因此极易实现产业化，极易批量化生产。

本发明授权具有任意像距的防伪图案生成方法、设备及可读存储介质在权利要求书中公布了：1.在种具有任意像距的防伪图案生成方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、设计图案数据处理； 步骤S1还进一步包括步骤S11：制作需要成像的设计图案，并对设计图案进行二值化处理，根据所需要的分辨率离散化处理成二值矩阵，二值矩阵表示如下， m1，n1为像素坐标： ； 其中，m1、n1的取值范围1~5000，在设计不同的像距时，二值矩阵的值为h1即可，如下公式： ； 当该坐标为设计图案时，空白区域时值为0； S2、基础成像微结构计算； S3、按阵列规则获取轴心坐标； S4、计算得到异形成像微结构； 步骤S4还包括步骤S41：将基础成像微结构的坐标的值对应于S11中的二值矩阵获得成像高度h1，通过成像高度h1和折射角度偏离方程wx得到整个基础成像微结构所成的像，对成像位置按同等分辨率做取整处理，再通过二值矩阵获取相应位置信息，对矩阵值为1的位置即成像为黑色的区域，结构做异形化处理，对矩阵值为0的区域不做处理，即得到该位置的异形成像微结构； S5、根据排列规则循环生成得到异形成像微结构阵列，点光源照射在异形成像微结构阵列时，实现成像的防伪图案。

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