吉林大学张源涛获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547999B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510671206.5，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法是由张源涛;李逸;邓高强;马皓天;高浩哲设计研发完成，并于2025-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：一种氮极性GaN基HEMT‑LED集成芯片及其制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。该芯片在同一衬底上集成氮极性HEMT和氮极性LED器件，HEMT由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、AlxGa1‑xN背势垒层、未掺杂GaN沟道层、源电极、栅下绝缘介质层和栅电极组成；LED由衬底层、AlN缓冲层、高阻GaN模板层、AlxGa1‑xN背势垒层、未掺杂GaN沟道层、n‑GaN层、InyGa1‑yNGaN量子阱有源层、p‑AlzGa1‑zN电子阻挡层、p‑GaN层和漏电极组成。本发明解决了金属极性GaN基HEMT‑LED集成芯片中AlGaN势垒层阻碍电子在LED和HEMT之间传输的问题。
本发明授权一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮极性GaN基HEMT-LED集成芯片，其特征在于：该芯片由氮极性HEMT和氮极性LED组成，氮极性HEMT从下至上依次由衬底层1、AlN缓冲层2、高阻GaN模板层3、AlxGa1-xN背势垒层4、未掺杂GaN沟道层5、源极10、栅下绝缘介质层12、和栅极13组成，在未掺杂GaN沟道层5和AlGa1-xN背势垒层4界面由极化诱导形成二维电子气51；氮极性LED从下至上依次由衬底层1、AlN缓冲层2、高阻GaN模板层3、AlGa1-xN背势垒层4、未掺杂GaN沟道层5、n-GaN层6、InGa1-yNGaN量子阱有源层7、p-AlGa1-zN电子阻挡层8、p-GaN层9和漏极11组成，除衬底层1以外各外延氮化物层的晶格极性均为氮极性。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学，其通讯地址为：130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励