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龙图腾网获悉无锡卓盛微电子技术有限公司申请的专利一种扇出型圆片级芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510665655.9，技术领域涉及：H10W74/01；该发明授权一种扇出型圆片级芯片封装方法是由周伟伟;杭晓春;邰兆娟设计研发完成，并于2025-05-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种扇出型圆片级芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路半导体的设计及制造领域，具体提供了一种扇出型圆片级芯片封装方法，所述方法包括如下工艺过程：晶圆涂层、植球、PI涂层、晶圆切割、晶粒装片、一次塑封、一次研磨、一次转孔、激光钻孔、一次RDL镀铜、二次塑封、载板剥离、二次转孔、二次激光钻孔、二次RDL镀铜、焊盘镀铜、三次塑封、二次研磨、激光打印、预切割、镀锡、芯片切割、测试编带、包装；本发明采用Fanout工艺替代传统陶瓷封装工艺，通过将IO点“扇出”到芯片边界之外，还能够在有限的空间内布置更多的IO点；并且由于IO点被重新布局到更大的载体上，整体封装尺寸可以减小；RDL的设计和布局可以优化信号传输，提高电性能。

本发明授权一种扇出型圆片级芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种扇出型圆片级芯片封装方法，其特征在于：所述方法包括如下工艺过程： 步骤一、晶圆涂层WaferCoating：在整个晶圆片的背面刷一层高导热的银胶； 步骤二、植球Bumping：在晶圆片的每个芯片的焊盘区域植球； 步骤三、PI涂层PICoating：在晶圆片的正面刷一层PI绝缘胶，为整个晶圆片上的芯片正面做隔绝； 步骤四、晶圆切割WaferSaw：将整片晶圆片进行切割形成独立的晶粒芯片； 步骤五、晶粒装片DOFDieAttaching：制备一预先贴有黏性膜DOF的载板，将晶粒芯片以背面粘接的方式一颗一颗均匀粘接到载板上； 步骤六、一次塑封DOFMolding：采用塑封材料在载板上进行一次塑封，使塑封材料完全包裹晶粒芯片形成一次塑封产品； 步骤七、一次研磨PanelGrinding：对一次塑封产品进行研磨使晶粒芯片上的植球上端漏出来； 步骤八、一次转孔Rotatinghole：根据RDL的走线图纸在一次塑封产品上转孔以生成RDL的走线图形；同时在一次塑封产品靠近边缘的四角转出定位孔； 步骤九、激光钻孔LaserDrilling：采用激光钻孔技术一次塑封产品上钻孔，使上下电路导通； 步骤十、一次RDL镀铜1STRDLCuPlating：在已经作业好的RDL的走线图形上镀铜，完成RDL铺铜作业，以及在植球上端镀铜形成焊盘； 步骤十一、二次塑封DOFMolding2：采用塑封材料在一次塑封产品的正面进行二次塑封，使塑封材料完全包裹植球上端漏出来的部分连同RDL铺铜区域，形成二次塑封产品； 步骤十二、载板剥离Panelstripping：将二次塑封产品的载板进行剥离去除； 步骤十三、二次转孔Rotatinghole2：在二次塑封产品靠近边缘的四角进行转孔使定位孔连通至二次塑封产品的正面； 步骤十四、二次激光钻孔LaserDrilling2：采用激光钻孔技术在二次塑封产品上进行钻孔，使一次转孔生成的RDL的走线图形连通至二次塑封产品的背面； 步骤十五、二次RDL镀铜2NDRDLCuPlating：在二次塑封产品背面对应焊盘和RDL铺铜的区域做RDL，制造二次塑封产品背面pad区域； 步骤十六、焊盘镀铜LeadCuPlating：在二次塑封产品背面pad区域镀铜制造出带有锯齿状边缘的outerlead区域； 步骤十七、三次塑封DOFMolding3：采用塑封材料在二次塑封产品的背面进行三次塑封，塑封材料将pad区域和outerlead区域完全包裹起来，形成三次塑封产品； 步骤十八、二次研磨PanelGrinding2：对三次塑封产品的背面进行研磨使outerlead区域露出来； 步骤十九、激光打印LaserMarking：在三次塑封产品的正面做激光marking打印； 步骤二十、预切割Pre-cut：对三次塑封产品做预切割，即在三次塑封产品的背面切开一部分，预留出一个台阶并漏出pad区域和outerlead区域的侧面金属； 步骤二十一、镀锡ElessSn：在pad区域和outerlead区域的背面和侧面漏出部分进行镀锡； 步骤二十二、芯片切割PackageSaw：将三次塑封产品沿预切割轮廓继续切割形成单颗独立的芯片产品，产品侧面形成台阶； 步骤二十三、测试编带TestandTape：对芯片产品测试编带； 步骤二十四、包装Packing：芯片产品包装。

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