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中国科学院半导体研究所李明获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利二维光栅耦合器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120652612B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510992699.2,技术领域涉及:G02B6/124;该发明授权二维光栅耦合器是由李明;郭帅航;谢毓俊;肖晔设计研发完成,并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

二维光栅耦合器在说明书摘要公布了:本公开提供一种二维光栅耦合器,涉及光电集成领域和光通信技术领域。该二维光栅耦合器包括:硅波导层,用于接收光信号,并根据第一光场耦合系数和第二光场耦合系数分别对光信号进行耦合,得到第一耦合光信号和第二耦合光信号,再分别沿第一方向和第二方向输出第一耦合光信号和第二耦合光信号;第一有机电光材料层,设置于硅波导层的上方,其内部设置有第一电极对;第二有机电光材料层,设置于硅波导层的下方,其内部设置有第二电极对。本公开的实施例通过在硅波导层的上层与下层分别键合有机电光材料,并在各方向布置可独立驱动的电极对,实现了光场耦合系数的实时调节,显著提高耦合效率。

本发明授权二维光栅耦合器在权利要求书中公布了:1.一种二维光栅耦合器,其特征在于,包括: 硅波导层,用于接收光信号,并根据第一光场耦合系数和第二光场耦合系数分别对所述光信号进行耦合,得到第一耦合光信号和第二耦合光信号,再分别沿第一方向和第二方向输出所述第一耦合光信号和第二耦合光信号,所述第一方向与所述第二方向的反向延长线相互垂直; 第一有机电光材料层,设置于所述硅波导层的上方,所述第一有机电光材料层的与所述第一方向平行的两侧设置有多个第一电极,所述两侧中的一侧上的任意一个所述第一电极皆和另一侧中的一个所述第一电极共同结为一个第一电极对,所述第一电极对用于调节所述第一光场耦合系数; 第二有机电光材料层,设置于所述硅波导层的下方,所述第二有机电光材料层的与所述第二方向平行的两侧设置有多个第二电极,所述两侧中的一侧上的任意一个所述第二电极皆和另一侧中的一个所述第二电极共同结为一个第二电极对,所述第二电极对用于调节所述第二光场耦合系数。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院半导体研究所,其通讯地址为:100083 北京市海淀区清华东路甲35号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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