瑞萨电子株式会社长谷川和功获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞萨电子株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112768414B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011126718.7,技术领域涉及:H10W74/10;该发明授权半导体装置是由长谷川和功;谷藤雄一;中村弘幸;佐藤幸弘;下山浩哉设计研发完成,并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了:本公开的各实施例涉及半导体装置。一种半导体装置包括:半导体芯片,该半导体芯片包括用于进行开关的场效应晶体管;裸片焊盘,半导体芯片经由第一键合材料被安装在该裸片焊盘上;引线,该引线通过金属板电连接到用于半导体芯片的源极的焊盘;引线耦合部,与引线一体地形成;以及用于密封它们的密封部。用于半导体芯片的漏极的背表面电极与裸片焊盘经由第一键合材料键合,金属板与用于半导体芯片的源极的焊盘经由第二键合材料键合,并且金属板与所引线耦合部经由第三键合材料键合。第一键合材料、第二键合材料和第三键合材料具有导电性,并且第一键合材料和第二键合材料中的每一项的弹性模量低于第三键合材料的弹性模量。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,包括: 第一半导体芯片,包括用于进行开关的第一场效应晶体管; 第一芯片安装部,所述第一半导体芯片经由第一键合材料被安装在所述第一芯片安装部上; 第一引线,通过第一金属板电连接到用于所述第一半导体芯片的源极的第一焊盘; 第一金属部,与所述第一引线一体地形成;以及 密封体,所述第一半导体芯片、所述第一金属板、所述第一金属部、所述第一芯片安装部的至少一部分、以及所述第一引线的一部分被密封在所述密封体中, 其中用于所述第一半导体芯片的漏极的第一背表面电极与所述第一芯片安装部经由所述第一键合材料键合, 其中所述第一金属板与用于所述第一半导体芯片的源极的所述第一焊盘经由第二键合材料键合, 其中所述第一金属板与所述第一金属部经由第三键合材料键合, 其中所述第一键合材料、所述第二键合材料和所述第三键合材料具有导电性, 其中所述第一键合材料和所述第二键合材料中的每一项的弹性模量低于所述第三键合材料的弹性模量, 其中所述第一键合材料、所述第二键合材料和所述第三键合材料中的每一项是银浆键合材料,并且 其中所述第一键合材料和所述第二键合材料中的每一项的银含量低于所述第三键合材料的银含量。
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