三星电子株式会社成慧真获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010636931.6，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由成慧真;朴志孰;崔盛皓设计研发完成，并于2020-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：多个位线结构，在基底上包括沿第一横向方向平行地延伸的位线；以及多个掩埋接触件和多个接合垫。所述多个掩埋接触件在基底上填充所述多个位线结构之间的空间的下部，所述多个接合垫填充所述多个位线结构之间的空间的上部并在所述多个位线结构上延伸。所述多个接合垫具有六边形阵列结构，所述多个接合垫之中的彼此相邻的第一接合垫、第二接合垫和第三接合垫的各自的顶表面的中心点通过不等边三角形连接。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 多个位线结构，在基底上包括沿第一横向方向平行地延伸的位线；以及 多个掩埋接触件和多个接合垫，所述多个掩埋接触件在基底上填充所述多个位线结构之间的空间的下部，所述多个接合垫填充所述多个位线结构之间的空间的上部并在所述多个位线结构上延伸， 其中，所述多个接合垫具有六边形阵列结构，并且所述多个接合垫之中的彼此相邻的第一接合垫、第二接合垫和第三接合垫的各自的顶表面的中心点通过不等边三角形连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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