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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786616B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011183633.2，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体装置及其形成方法是由石韩松;闵忠基;黄昌善;金奇奂;林钟欣设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了半导体装置及其形成方法。该方法可包括形成层叠结构，该层叠结构可包括层叠区域和阶梯区域并且可包括交替地层叠的第一层和第二层。第二层可在阶梯区域中具有阶梯形状，并且阶梯区域可包括至少一个平坦区域和至少一个倾斜阶梯区域。该方法还可包括形成覆盖层叠结构的封盖绝缘层。该封盖绝缘层可包括具有第一上表面的第一封盖区域以及具有在比第一上表面低的水平处的第二上表面的第二封盖区域。该方法还可包括将封盖绝缘层图案化以形成多个突起，然后将封盖绝缘层平坦化，多个突起中的至少一个与阶梯区域交叠。

本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体装置的方法，该方法包括： 在衬底的第一区域上形成层叠结构和平坦化停止层，所述层叠结构包括层叠区域和阶梯区域，所述层叠区域包括平坦上表面，所述阶梯区域与所述层叠区域相邻并且包括具有阶梯形状的上表面，所述层叠结构包括多个第一层以及在垂直于所述衬底的上表面的竖直方向上与所述多个第一层交替地层叠的多个第二层，所述层叠结构的最上层是所述多个第一层中的最上一层，并且所述层叠结构在所述衬底和所述平坦化停止层之间； 在所述平坦化停止层和所述层叠结构上以及与所述衬底的第一区域相邻的所述衬底的第二区域上形成封盖绝缘层，所述封盖绝缘层包括第一封盖区域和第二封盖区域，所述第一封盖区域包括第一上表面，所述第二封盖区域包括在比第一上表面低的水平处的第二上表面； 将所述封盖绝缘层图案化以在所述衬底的第一区域上形成在水平方向上彼此间隔开的多个突起，所述水平方向平行于所述衬底的上表面，并且所述多个突起中的至少一个与所述阶梯区域交叠； 将包括所述多个突起的封盖绝缘层平坦化以形成平坦化的封盖绝缘层； 部分地蚀刻所述平坦化的封盖绝缘层以形成部分蚀刻的封盖绝缘层； 执行退火工艺以将所述部分蚀刻的封盖绝缘层转换为致密的封盖绝缘层； 在所述致密的封盖绝缘层和所述层叠结构的最上层上形成第一上绝缘层； 形成延伸穿过所述第一上绝缘层和所述层叠结构的层叠区域的沟道孔； 在所述沟道孔中形成竖直存储器结构； 在所述竖直存储器结构上形成接触插塞；以及 在所述接触插塞上形成位线， 其中，将所述封盖绝缘层图案化包括： 使用第一蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺，以形成第一突起，以及 在执行所述第一蚀刻工艺之后使用第二蚀刻掩模执行第二蚀刻工艺，以形成第二突起，其中，所述第一蚀刻掩模的边缘在所述水平方向上与所述层叠区域和所述阶梯区域之间的界面间隔开第一距离，并且所述第二蚀刻掩模的边缘在所述水平方向上与所述层叠区域和所述阶梯区域之间的界面间隔开比所述第一距离短的第二距离。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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