英飞凌科技股份有限公司R·克尼佩尔获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利制作半导体封装体的方法、半导体封装体和嵌入式PCB模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113496947B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110366961.4，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权制作半导体封装体的方法、半导体封装体和嵌入式PCB模块是由R·克尼佩尔;F·达奇设计研发完成，并于2021-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本制作半导体封装体的方法、半导体封装体和嵌入式PCB模块在说明书摘要公布了：一种用于制作半导体封装体的方法包括：提供包括第一侧和相反的第二侧的半导体晶片，所述半导体晶片布置在第一载体上，使得所述半导体晶片的第二侧面对所述载体；利用掩膜在半导体晶片的第一侧上掩蔽锯切线；通过冷喷涂或高速氧气燃料喷涂或通过冷等离子体辅助沉积来将第一金属层沉积在半导体晶片的被掩蔽的第一侧上，使得第一金属层不覆盖锯切线，沉积的第一金属层具有50μm或更大的厚度；通过沿着锯切线锯切半导体晶片将半导体晶片单个化地分割成多个半导体裸片；以及利用包封材料包封所述多个半导体裸片，使得第一金属层在包封材料的第一侧上暴露。
本发明授权制作半导体封装体的方法、半导体封装体和嵌入式PCB模块在权利要求书中公布了：1.一种用于制作半导体封装体100的方法，所述方法包括： 提供包括第一侧401和相反的第二侧402的半导体晶片400，所述半导体晶片400布置在第一载体410上，使得所述半导体晶片400的第二侧402面对第一载体410， 利用掩膜430在半导体晶片400的第一侧401上掩蔽锯切线440， 通过冷喷涂或通过高速氧气燃料喷涂或通过冷等离子体辅助沉积在半导体晶片400的被掩蔽的第一侧401上沉积第一金属层130，使得第一金属层130不覆盖锯切线440，沉积的第一金属层130具有50μm或更大的厚度， 通过沿着锯切线440锯切半导体晶片400，将半导体晶片400单个化地分割成多个半导体裸片110，以及 利用包封材料140包封所述多个半导体裸片110，使得第一金属层130在所述包封材料140的第一侧141上暴露。
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