上海华力微电子有限公司秦佑华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种图像传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114005845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111266547.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种图像传感器的制备方法是由秦佑华;陈昊瑜;姬峰设计研发完成，并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种图像传感器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括像素区及位于所述像素区外围的逻辑区，所述衬底的逻辑区中形成有互联结构；在所述衬底的第一表面上形成金属层，所述金属层包括覆盖所述像素区的第一部分和覆盖所述逻辑区的第二部分，所述第二部分与所述互联结构电性连接；刻蚀所述第一部分以形成多个贯穿的第一凹槽；在所述金属层上顺形地形成钝化层，并刻蚀所述逻辑区的钝化层以减薄所述逻辑区的钝化层；对所述钝化层进行平坦化工艺，在平坦化工艺之前对所述逻辑区的所述钝化层进行刻蚀，降低所述逻辑区的所述钝化层的厚度，提高所述钝化层的平坦化工艺的均匀性，进而提高所述图像传感器的均匀性。
本发明授权一种图像传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括像素区及位于所述像素区外围的逻辑区，所述衬底的逻辑区中形成有互联结构； 在所述衬底的第一表面上形成金属层，所述金属层包括覆盖所述像素区的第一部分和覆盖所述逻辑区的第二部分，所述第二部分与所述互联结构电性连接； 刻蚀所述第一部分以形成多个贯穿的第一凹槽； 在所述金属层上顺形地形成钝化层，并刻蚀所述逻辑区的钝化层以减薄所述逻辑区的钝化层； 对所述钝化层进行平坦化工艺； 在所述钝化层上形成镜片结构。
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