爱思开海力士有限公司韩在贤获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114255804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110493699.X，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权半导体器件及其操作方法是由韩在贤设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其操作方法在说明书摘要公布了：本文提供的是一种操作半导体器件及其操作方法，该半导体器件包括均存储多比特位数据的存储单元。该方法包括：接收要被编程在从存储单元中选择的存储单元中的数据；以及将编程脉冲施加到所选择的存储单元，该编程脉冲根据数据的逻辑状态来确定，并且选自包括第一编程脉冲、第二编程脉冲、第三编程脉冲和第四编程脉冲的组中，第一编程脉冲具有正极性，第二编程脉冲具有正极性并且具有与第一编程脉冲不同的峰值电平、峰值周期和下降摆动速率中的至少一种，第三编程脉冲具有负极性，以及第四编程脉冲具有负极性并且具有与第三编程脉冲不同的的峰值电平、峰值周期和上升摆动速率中的至少一种。
本发明授权半导体器件及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种操作半导体器件的方法，所述半导体器件包括存储单元，每个存储单元存储多比特位数据，所述方法包括： 接收要被编程在从所述存储单元中选择的存储单元中的数据；以及 将编程脉冲施加到所选择的存储单元以将所述所选择的存储单元编程为具有所述数据的逻辑状态，所述编程脉冲根据所述数据的逻辑状态来确定，并且选自包括第一编程脉冲、第二编程脉冲、第三编程脉冲和第四编程脉冲的组中的一个编程脉冲，所述第一编程脉冲具有正极性，所述第二编程脉冲具有正极性并且具有与所述第一编程脉冲不同的峰值电平、峰值周期和下降摆动速率中的至少一种，所述第三编程脉冲具有负极性，以及所述第四编程脉冲具有负极性并且具有与所述第三编程脉冲不同的峰值电平、峰值周期和上升摆动速率中的至少一种。
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