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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411201720.4，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法是由何昌;张光亚;杨勇;朱勇华设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法，采用结构相同但存在特征区别的第一构件和第二构件进行对比测试，其中，第二构件存在的区别特征在于具备若干个以矩阵布置于第一沟槽所环绕的区域内的第二沟槽，对第一构件和第二构件进行离子注入，将离子注入后的第一构件和第二构件的总电阻进行对比，以快速获取监测沟槽MOS的刻蚀深度的偏差情况，无需对芯片进行破坏性的解剖测试，可以监测到每一片晶圆的指定位置区域的刻蚀深度，相比于传统方法的监测频次和范围更加完善。

本发明授权一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽MOS的刻蚀深度的监测装置，其特征在于，包括： 第一构件和第二构件； 所述第二构件包括： 体区100； 源区200，层叠于所述体区100上； 若干个接触孔300，分别穿入所述源区200和所述体区100内，所述接触孔300内填充有金属电极301； 第一沟槽400，其依次穿入所述源区200和所述体区100内，以在所述源区200和所述体区100内分别围绕形成第一扩散电阻和第二扩散电阻； 若干个第二沟槽500，以矩阵方式布置于所述第一沟槽400所围绕的区域内，所述第一沟槽400和所述第二沟槽500内均填充有第一物质600； 其中，所述第一构件与所述第二构件之间存在唯一的区别特征，所述区别特征为所述第一构件不包括所述第二沟槽500，所述第一构件中的所述第一扩散电阻和所述第二扩散电阻并联得到总电阻R1，所述第二构件中的所述第一扩散电阻和所述第二扩散电阻并联得到总电阻R2； 所述第一沟槽400包括主环形沟槽401以及四个次环形沟槽402，四个所述次环形沟槽402分别接通于所述主环形沟槽401的四边，所述接触孔300设有四个，并分别对应接通四个所述次环形沟槽402所环绕的区域。

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