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龙图腾网获悉新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利半导体器件和半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411107728.4，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权半导体器件和半导体系统是由匡睿设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件和半导体系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件和半导体系统，所述半导体器件包括至少一个存储层和与存储层耦接的外围电路；其中，每个存储层包括多个存储单元、多个第一导电线和多个第二导电线；存储单元在第一方向上位于第一导电线和第二导电线之间；沿第二方向排布的多个存储单元与一个第一导电线耦接，沿第三方向排布的多个存储单元与一个第二导电线耦接；多个存储单元被配置为存储矩阵；外围电路被配置为：基于输入数据将输入电压施加在存储层中的多个第一导电线上；基于存储层中的第二导电线的输出电流或者输出电压得到输入数据与存储层中的多个存储单元存储的矩阵的运算结果。

本发明授权半导体器件和半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括至少一个存储层和与所述存储层耦接的外围电路；其中， 每个所述存储层包括多个存储单元、多个第一导电线和多个第二导电线；所述存储单元在第一方向上位于所述第一导电线和所述第二导电线之间；沿第二方向排布的多个存储单元与一个所述第一导电线耦接，沿第三方向排布的多个存储单元与一个所述第二导电线耦接；所述第二方向与所述第三方向相交，且均与所述第一方向垂直；所述多个存储单元被配置为存储矩阵；所述存储单元具有第一状态和第二状态；处于所述第一状态的所述存储单元的阈值电压小于处于所述第二状态的所述存储单元的阈值电压且大于所述存储单元的亚阈值电压； 所述外围电路被配置为：基于输入数据将输入电压施加在所述存储层中的多个所述第一导电线上；基于所述存储层中的第二导电线的输出电流或者输出电压得到所述输入数据与所述存储层中的多个存储单元存储的所述矩阵的运算结果；施加在一个所述第一导电线上的所述输入电压包括第一电压和第二电压；所述第一电压大于所述存储单元的亚阈值电压，且小于处于所述第二状态的存储单元的阈值电压；所述第二电压小于所述存储单元的亚阈值电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼534(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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