新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司徐丽获国家专利权
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龙图腾网获悉新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司申请的专利存储器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119479731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411486560.2，技术领域涉及：G11C13/00；该发明授权存储器及其操作方法是由徐丽;董祖奇;李建平设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及其操作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其操作方法，存储器包括存储单元阵列和与存储单元阵列耦接的外围电路；存储单元阵列包括多条位线、多条字线、位于多条位线以及多条字线之间的多个存储单元；外围电路被配置为：响应于写入命令，对选中字线施加第一电压，对选中位线施加第二电压，对未选中字线施加接地电压，对未选中位线施加电源电压，以使得与选中字线以及选中位线耦接的目标存储单元处于导通状态，并使得与未选中字线和或未选中位线耦接的非目标存储单元处于非导通状态。
本发明授权存储器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括存储单元阵列和与所述存储单元阵列耦接的外围电路；所述存储单元阵列包括多条位线、多条字线、位于多条所述位线以及多条所述字线之间的多个存储单元；所述外围电路被配置为： 响应于写入命令，采用双轨电源，对选中字线以及选中位线同时施加电压，对选中字线施加第一电压，对选中位线施加第二电压，对未选中字线施加接地电压，对未选中位线施加电源电压，以使得与所述选中字线以及所述选中位线耦接的目标存储单元处于导通状态，并使得与所述未选中字线和或所述未选中位线耦接的非目标存储单元处于非导通状态；其中，所述第二电压的范围为-4V~-3V； 所述第一电压与所述电源电压的差值为第一值，所述接地电压与所述第二电压的差值为第二值；所述第一值与所述第二值的差值的绝对值小于或等于0.2V。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新存微科技(北京)有限责任公司;新存科技(武汉)有限责任公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科谷一街10号院6号楼3层305-5；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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