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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119695414B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411930556.0，技术领域涉及：H01P1/18；该发明授权一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器是由胡放荣;周燊;姜文英;曾丽珍;江明珠;张隆辉设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器在说明书摘要公布了：本发明为一种基于石墨烯‑金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底和其上的二维阵列构成。每个阵列单元包含3个沿着竖直方向并排的矩形金属框以及3个嵌入其内部的石墨烯矩形框、3组矩形金属块和2个矩形金属块。每组矩形金属块4个，两两排列于石墨烯矩形框上下两边。2个矩形金属块分别连接于阵列单元左右两侧中部。两个引出电极位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负极相连接。当偏置电压增加时，透过移相器产生的太赫兹波吸收峰逐渐向低频移动，在吸收峰的右侧会产生宽频、大相移。本发明的电控太赫兹宽频大相移动态移相器制作成本低，响应速度快，在太赫兹相控阵雷达、宽带无线通信等领域有潜在应用价值。

本发明授权一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器在权利要求书中公布了：1.一种基于石墨烯-金属超表面的电控太赫兹宽频大相移动态移相器，由高阻硅基底1和位于高阻硅基底1上表面的二维阵列2组成；所述二维阵列2的边长为入射太赫兹波束直径的1.0~1.5倍；高阻硅基底1的长和宽均大于二维阵列2的长和宽；太赫兹波从二维阵列2上方入射，穿过二维阵列2得到调制，并穿过高阻硅基底1后射出；其特征在于： 所述二维阵列2的每个阵列单元包括3个沿着竖直方向并排的矩形金属框21、3个嵌入矩形金属框内的石墨烯矩形框22、3组位于石墨烯矩形框22内的矩形金属块23和2个分别位于阵列单元左右两侧的矩形金属块24； 所述3个矩形金属框21沿着竖直方向排列，相邻的矩形金属框21上下两边相连接； 所述3个石墨烯矩形框22分别嵌入3个矩形金属框； 所述3组矩形金属块23每组包括4个大小相等的金属块，其中2个与石墨烯矩形框22的上边相连，另外两个与石墨烯矩形框22的下边相连； 所述2个矩形金属块24分别位于所述阵列单元两侧，并与中间矩形金属框21左右两边中部相连； 两个引出电极25位于二维阵列两侧，分别与直流电源的正、负电极相连接，且连接线路上有一个开关，两侧的电极25分别与二维阵列2左侧第一列最左侧的矩形金属块24和右侧最后一列最右侧的矩形金属块24相连接； 电极25连接直流电源的开关开启时，3个石墨烯矩形框22均为低电导率，即阵列单元的矩形金属框21与石墨烯矩形框22上下边相连接的矩形金属块23是阻断的；当电极连接直流电源的开关闭合时，石墨烯的费米能级改变，石墨烯矩形框22的电导率增加，即矩形金属框21与石墨烯矩形框22上下边相连接的矩形金属块23连通，此时移相器工作于相位调控状态。

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