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龙图腾网获悉中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所申请的专利一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119717126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411950092.X，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型是由员金明;毛玉政;李艾伦;杨怡兴;万洵设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型在说明书摘要公布了：本发明属于集成光学、惯性传感技术领域，具体涉及一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型。利用薄膜铌酸锂混合光子集成芯片实现了光纤陀螺功能器件的全片上异质集成。陀螺分立光路器件单片集成、整体封装，光路尺寸及成本大幅降低，减少了光纤互连，装配工艺复杂度明显减小，有效提升陀螺性能的长期可靠性。借助硅光子成熟的CMOS工艺，可实现微型光纤陀螺的低成本、大规模批量生产，满足未来武器系统的小型化、轻量化需求。

本发明授权一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型在权利要求书中公布了：1.一种光纤陀螺用薄膜铌酸锂异质集成芯片构型，其特征在于，异质集成芯片通过直接刻蚀薄膜铌酸锂实现，所述异质集成芯片构型包括：SLD芯片1-1、隔离器1-2、光源-波导模式转换器1-3、耦合器I1-5、起偏器1-7、耦合器II1-9、杂散光吸收结构II1-10、电光调制器1-11、金属电极1-12、倾斜输出波导I1-13、光纤-波导模式转换器I1-14、倾斜输出波导II1-15、光纤-波导模式转换器II1-16、耦合光栅1-19、探测器芯片1-20； SLD芯片1-1的出射光通过隔离器1-2耦合进光源-波导模式转换器1-3，随后与耦合器I1-5第一输入端连接；耦合器I1-5直通端与起偏器1-7输入端连接；起偏器1-7输出端与耦合器II1-9的一个输入端连接，耦合器II1-9另一个输入端接杂散光吸收结构II1-10，耦合器II1-9的输出端两臂与电光调制器1-11输入端两臂连接；光经过金属电极1-12施加电场调制后，从电光调制器1-11输出端两臂分别输出；电光调制器1-11输出端两臂分别经倾斜输出波导I1-13和倾斜输出波导II1-15与光纤-波导模式转换器I1-14和光纤-波导模式转换器II1-16连接，随后与两通道的保偏光纤阵列连接；耦合器I1-5第二输入端经耦合光栅1-19与探测器芯片1-20连接； 所述异质集成芯片构型还包括：杂散光隔离结构I1-4、杂散光吸收结构I1-6、杂散光隔离结构II1-8、杂散光隔离结构III1-17、杂散光隔离结构IV1-18； 杂散光隔离结构I1-4设置在光源-波导模式转换器1-3两侧； 杂散光吸收结构I1-6设置在耦合器I1-5的表面； 杂散光隔离结构II1-8设置在起偏器1-7的外围； 杂散光隔离结构III1-17设置在电光调制器1-11的弯曲波导外围； 杂散光隔离结构IV1-18设置在耦合光栅1-19的两侧； 杂散光隔离结构I1-4、杂散光隔离结构II1-8、杂散光隔离结构III1-17、杂散光隔离结构IV1-18与杂散光吸收结构I1-6、杂散光吸收结构II1-10通过在薄膜铌酸锂芯片上填充、覆盖光阻尼材料实现； SLD芯片1-1、隔离器1-2通过在薄膜铌酸锂表面深刻蚀沟槽，使用倒装焊封装的方式将SLD芯片1-1与光源-波导模式转换器1-3模斑对齐、表面键合；探测器芯片1-20通过耦合光栅1-19与薄膜铌酸锂芯片进行耦合； 电光调制器1-11通过浅刻蚀制备图形化脊型波导与金电极，实现电光调制效应； 所述的耦合器I1-5为1×2的Y分支结构，并对Y分支表面覆盖光阻尼材料薄膜；耦合器II1-9为2×2的多模干涉耦合MMI结构，其中一个输入端连接光阻尼材料，两耦合器中心工作波长均为850nm、1310nm和1550nm； 所述的起偏器1-7为级联弯曲波导偏振器，使用波导为扁平波导、具有大于10的宽高比，多级弯曲级联，中心工作波长为850nm、1310nm和1550nm； 所述光源-波导模式转换器1-3采用倒锥结构，接近光源一端窄于传输波导，另一端与传输波导宽度相同。

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