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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司申请的专利二极管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967824B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510111593.7，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权二极管结构是由李理设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本二极管结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种二极管结构，包括：基底层体；填充槽，设置在基底层体上，填充槽沿基底层体的长度方向或宽度方向延伸，填充槽为多个，多个填充槽沿基底层体的长度或宽度方向间隔设置；各个填充槽内分别设置有外延填充层体；第一金属层体，与多个填充槽内的至少一个外延填充层体连接，以形成第一欧姆接触；第二金属层体，设置在基底层体上并与基底层体形成肖特基接触。本申请解决了现有技术中的SIC二极管的耐高压能力较低的问题。

本发明授权二极管结构在权利要求书中公布了：1.一种二极管结构，其特征在于，包括： 基底层体100； 填充槽200，设置在所述基底层体100上，所述填充槽200沿所述基底层体100的长度方向或宽度方向延伸，所述填充槽200为多个，多个所述填充槽200沿所述基底层体100的长度或宽度方向间隔设置；各个所述填充槽200内分别设置有外延填充层体300； 第一金属层体400，与多个所述填充槽200内的至少一个所述外延填充层体300连接，以形成第一欧姆接触； 第二金属层体500，设置在所述基底层体100上并与所述基底层体100形成肖特基接触； 所述第一金属层体400凸出于所述基底层体100的顶面设置； 所述第二金属层体500上设置有避让凹槽510，所述第一金属层体400嵌设在所述避让凹槽510内； 所述填充槽200包括： 第一填充槽210，沿所述基底层体100的底面至顶面的方向，所述第一填充槽210的槽口逐渐增大； 第二填充槽220，设置在所述第一填充槽210的侧方，所述第二填充槽220的深度小于所述第一填充槽210的深度； 所述第一填充槽210包括： 相互连通的第一槽段211和第二槽段212，所述第二槽段212连接在所述第一槽段211靠近所述基底层体100的所述顶面的一端，所述第二槽段212的宽度大于所述第一槽段211的宽度，所述第二槽段212的深度小于所述第一槽段211的深度； 其中，所述第二填充槽220的深度大于所述第二槽段212的深度，且小于所述第一槽段211的深度； 所述外延填充层体300包括第一外延层体310，所述第一外延层体310包括： 第一外延段311，设置在所述第一槽段211内； 第二外延段312，设置在所述第二槽段212内，所述第二外延段312的掺杂浓度小于所述第一外延段311的掺杂浓度，所述第二金属层体500的至少部分与所述第二外延段312连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司;珠海格力电器股份有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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