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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利三维存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311522127.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维存储器及其制造方法、电子设备是由桂文华;王祥升;王桂磊;艾学正设计研发完成，并于2023-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种三维存储器及其制造方法、电子设备。该三维存储器的制造方法包括下述：沿着第三方向交替形成绝缘层和牺牲层，以形成叠层结构，将叠层结构分成晶体管预设区、电容器预设区以及位线预设区；在晶体管预设区内形成虚设晶体管且在电容器预设区形成虚设电容器；用导电材料替换牺牲层的材料形成各导电层；去除虚设晶体管形成包括预设半导体层、栅极绝缘层以及栅极的晶体管；去除虚设电容器；同时从位线预设区和电容器预设区沿着第一方向相向刻蚀各绝缘层；继续刻蚀去除各绝缘层对应的预设半导体层直至到达栅极绝缘层的位置停止刻蚀，使得预设半导体层沿着第三方向在绝缘层处被断开，形成半导体层。本申请的制造工艺易于快速去除寄生沟道。

本发明授权三维存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括下述步骤： 沿着垂直于衬底的第三方向交替形成绝缘层和牺牲层，以形成叠层结构，将所述叠层结构分成沿着第一方向排列的位线预设区、晶体管预设区和电容器预设区，所述第一方向平行于所述衬底； 在所述晶体管预设区内形成虚设晶体管且在所述电容器预设区内形成虚设电容器； 用导电材料替换所述牺牲层的材料形成各导电层； 在所述电容器预设区内，在第二方向上相邻的两个虚设电容器之间形成第一隔离层，所述第二方向与所述第一方向交叉且垂直于所述第三方向； 在所述晶体管预设区内，在所述第二方向上相邻的两个虚设晶体管之间形成第二隔离层，且形成所述第一隔离层的材料与形成所述第二隔离层的材料不同； 去除所述虚设晶体管； 形成预设半导体层、栅极绝缘层以及字线； 去除所述虚设电容器； 同时从所述位线预设区和所述电容器预设区沿着所述第一方向相向刻蚀去除各所述绝缘层和所述预设半导体层，直至到达所述栅极绝缘层的位置停止刻蚀，使得所述预设半导体层沿着所述第三方向在各所述绝缘层处被断开，形成相互断开的半导体层。

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