上海易微达光电科技有限公司阿布·托马斯获国家专利权
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龙图腾网获悉上海易微达光电科技有限公司申请的专利长波长激光器的微转印键合封装方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120109639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510125922.3，技术领域涉及：H01S5/0236；该发明授权长波长激光器的微转印键合封装方法及结构是由阿布·托马斯设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本长波长激光器的微转印键合封装方法及结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种长波长激光器的微转印键合封装方法及结构，封装方法包括：提供基底，基底形成有光波导；提供激光器芯片，激光器件层包括依次层叠的N型掺杂半导体层、多量子阱层和P型掺杂半导体层；将激光器芯片转印至基底，基于导热粘附层将激光器芯片的N型掺杂半导体层键合于基底上，激光器芯片的耦合端面朝向光波导。本发明采用微转印键合激光器芯片的N型掺杂的磷化铟层与基底的方式可以使得整个器件的热阻更低，有效保证了长波长激光器的高温工况下的工作和大大提高了激光器的长期可靠性。同时，本发明可以使得微转印键合具有更好的键合公差。
本发明授权长波长激光器的微转印键合封装方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种长波长激光器的微转印键合封装方法，其特征在于，所述封装方法包括： 提供基底，所述基底形成有光波导； 提供激光器芯片，所述激光器芯片包括依次层叠的N型掺杂半导体层、多量子阱层和P型掺杂半导体层； 将所述激光器芯片转印至所述基底，基于导热粘附层将所述激光器芯片的N型掺杂半导体层固定于所述基底上，所述激光器芯片的耦合端面朝向所述光波导； 所述基底中设置有容置槽，所述容置槽的一侧壁显露所述光波导的端面，所述激光器芯片转印至所述容置槽内且所述激光器芯片的耦合端面朝向所述光波导； 所述P型掺杂半导体层上还形成有P型脊，所述P型脊上引出有正电极，所述激光器芯片还形成有自所述P型掺杂半导体层延伸至所述N型掺杂半导体层的凹槽，所述凹槽显露的N型掺杂半导体层引出有负电极。
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