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龙图腾网获悉南京航空航天大学申请的专利一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120124283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510197492.6，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法是由秦海鸿;张扬;张语凡;董一夫;吴凡;朱梓悦;康源;杨瑞权;卜飞飞设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测方法，属于电力电子技术与电工技术领域。所述的结温预测方法将关断损耗模型与基于关断损耗的结温预测模型相结合，包括以下步骤：首先，建立考虑寄生参数的SiCMOSFET关断损耗模型，其次，离线建立基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测模型，然后，根据损耗模型在线计算关断损耗，最后将损耗数据代入结温预测模型求得结温预测值。本发明可以对SiCMOSFET不同工况条件下的关断损耗与结温进行预测，具有实时性强，易于实现，模型精度高等优势；为碳化硅功率器件的热评估和结温预测提供了高效准确的解决方案。

本发明授权一种基于SiC MOSFET关断损耗的结温预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：建立考虑寄生参数的SiCMOSFET等效电路模型，通过对关断瞬态过程分析建模得到关断过程各个阶段的状态方程，进而建立考虑寄生参数的SiCMOSFET关断损耗模型； 步骤S2：进行离线校准程序，通过离线方式获得所选取的SiCMOSFET关断损耗与已知结温的映射关系，建立基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测模型； 步骤S3：进行数值求解，在计算工具中输入各个状态变量的初始值，然后在求解周期内完成求解后得到各个状态变量的值，根据这些计算得到的值更新状态方程中的参数，如此循环往复，直至相关边界条件满足，便进入下一状态方程，每次计算的数据得以保存，便可通过数值计算得到关断损耗； 步骤S4：通过步骤S3中调整状态变量的初始值模拟功率器件运行的不同工况，将SiCMOSFET关断损耗计算结果代入步骤S2建立的基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测模型中，根据关断损耗与结温及工况的映射关系计算求得结温值； 所述步骤S2中基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测模型建立过程如下： 步骤S21、通过搭建双脉冲测试平台，设置SiCMOSFET的结温Tj以及工况条件：母线电压，电感电流； 步骤S22、测试SiCMOSFET在不同结温及工况下的关断损耗值，绘制出关断损耗与结温及工况条件的关系图； 步骤S23、对关断损耗与结温及工况条件的关系进行解耦拟合，得到关断损耗与结温及工况条件的映射关系式，即为基于SiCMOSFET关断损耗的结温预测模型： ， 其中，、、为拟合得到的常数值，为关断损耗，为电感电流值。

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