北京超弦存储器研究院朱正勇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120166688B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311719537.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备是由朱正勇;康卜文;赵超设计研发完成，并于2023-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备，属于半导体器件的设计与制造领域，所述半导体器件包括：衬底和设置在所述衬底上的至少一个存储单元，所述存储单元包括：读取晶体管，包括第一栅电极、第二栅电极和第一半导体层；所述第一栅电极与读字线连接；所述第一半导体层的一端与第一位线连接，另一端与第二位线连接；写入晶体管，包括第三栅电极和第二半导体层；所述第二半导体层的一端与所述第二栅电极电连接，另一端与第二位线连接；所述第三栅电极与写字线连接；其中，所述读取晶体管与所述写入晶体管沿垂直于所述衬底的方向堆叠。本申请实施例的半导体器件的结构简单，占用面积较小。
本发明授权半导体器件、存储器及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括衬底和设置在所述衬底上的至少一个存储单元，所述存储单元包括： 读取晶体管，包括第一栅电极、第二栅电极和第一半导体层；所述第一栅电极与读字线直接连接；所述第一半导体层的一端与第一位线连接，另一端与第二位线连接； 写入晶体管，包括第三栅电极和第二半导体层；所述第二半导体层的一端与所述第二栅电极电连接，另一端与第二位线连接；所述第三栅电极与写字线连接； 其中，所述读取晶体管与所述写入晶体管沿垂直于所述衬底的方向堆叠。
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