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龙图腾网获悉展长振申请的专利自支撑硅碳电极片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565555B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510626261.2，技术领域涉及：H01M4/04；该发明授权自支撑硅碳电极片及其制备方法是由展长振设计研发完成，并于2025-05-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本自支撑硅碳电极片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种自支撑硅碳电极片的制备方法，包括有以下步骤：制备膨胀石墨、氮掺杂、造孔、硅复合、模压成型。其创新性体现在：通过氮掺杂膨胀石墨基体的多孔化设计，结合原位硅包覆与模压一体化成型工艺，构建具有三维弹性导电网络的一体化极片。通过在膨胀石墨中掺杂氮元素,可改善极片对于电解液的浸润性，膨胀石墨的造孔可作为离子在石墨片层之间的传输通道，再利用膨胀石墨微观的二维片状结构，通过模压直接成型，实现石墨和硅的高效复合并一步完成负极极片的制备。使极片厚度突破性达到1mm量级远超传统集流体数十微米水平，同时兼具高倍率性能与优异循环稳定性。其中三维结构通过机械互锁效应维持电极完整性，且结构具有一定的弹性，使材料在充放电导致的反复膨胀收缩过程中保持结构稳定，容量保持率提升显著。

本发明授权自支撑硅碳电极片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自支撑硅碳电极片的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤： 1将天然石墨与氧化剂、插层剂混合，天然石墨与插层剂、氧化剂的质量比为1：1-15：0.05-0.5，在40℃下静置反应30min，过滤，清洗，得到可膨胀石墨； 2将步骤1得到的可膨胀石墨置于惰性气体的气氛下，加热至1000℃，得到膨胀石墨； 3将步骤2得到的膨胀石墨置于混合气的气氛中，混合气由惰性气体和含氮气体组成，且惰性气体与含氮气体的体积比为75-85：15-25，加热至1000℃后，保温30min，得到氮掺杂多孔膨胀石墨； 4取部分步骤3得到的氮掺杂多孔膨胀石墨置于反应器中，通入惰性气体置换反应器内部的空气，使得反应器的内部形成无氧环境，加热至600-800℃，随后通入硅烷气体进行化学气相沉积反应，得到硅-多孔膨胀石墨复合材料； 5取步骤3得到的氮掺杂多孔膨胀石墨与步骤4得到的硅-多孔膨胀石墨复合材料混合，氮掺杂多孔膨胀石墨与硅-多孔膨胀石墨复合材料的质量比为1：0.2-20，混合均匀后，经过铺平布料、模压，得到自支撑的硅碳负极极片。

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