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龙图腾网获悉天皓(湖北)储能有限公司申请的专利一种飞轮储能用电缆制备方法及电缆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120854077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510957463.5，技术领域涉及：H01B13/22；该发明授权一种飞轮储能用电缆制备方法及电缆是由朱佐全;魏飞;韩雪歆设计研发完成，并于2025-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种飞轮储能用电缆制备方法及电缆在说明书摘要公布了：本发明属于电缆制备技术领域，提供了一种飞轮储能用电缆制备方法及电缆，通过获取电缆的三维数字模型，结合高压电场仿真分析，能够精确地评估电缆在高压环境下的应力与电场分布情况，有效识别电缆中易发生破损和电流击穿的薄弱区域，针对这些高风险区域，进行结构优化与电气修正，提升电缆的机械强度与电气绝缘性能，进而控制电缆的失效概率，实时监测由结构损伤引起的电树枝化现象，并精准识别和定位缺陷区域，从而显著提高了缺陷检测的灵敏度与精度，确保电缆在高压工作环境中的长期稳定性与安全性。

本发明授权一种飞轮储能用电缆制备方法及电缆在权利要求书中公布了：1.一种飞轮储能用电缆制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： S100，利用绞线机将动力线芯和控制线芯绞合成标准导体； S200，利用挤出机在标准导体外部挤出导体屏蔽层； S300，标记出导体屏蔽层的陷阱区域，根据陷阱区域修正导体屏蔽层； S400，利用绕包机在绝缘屏蔽层的外侧绕包一层金属带； S500，利用挤出机在金属带外侧挤包形成外护套； 在S300中，标记出导体屏蔽层的陷阱区域，根据陷阱区域修正导体屏蔽层的方法为：使用3D扫描导体屏蔽层获得导体屏蔽层三维模型尺寸，在Blender软件中导入屏蔽层材料参数构成导体屏蔽层几何模型，将几何模型在Blender中进行压力仿真，周期性获取多幅导体屏蔽层应力分布图，获取第一次获取的导体屏蔽层应力分布图和最后一次获取的导体屏蔽层应力分布图； 使用sobel边缘算法将第一次获取的导体屏蔽层应力分布图分为多个受力子区域，计算各个受力子区域的平均应力值和所有受力子区域的平均值，将所有大于平均值的受力子区域中平均应力值最大的区域标记为Trap，平均应力值最小的区域标记为Trak； 获取最近时刻获取到的导体屏蔽层应力分布图，使用sobel边缘算法将最近时刻获取到的导体屏蔽层应力分布图分为多个子区域，计算所有子区域中的应力平均值，将应力平均值最大的子区域标记为Amax，应力平均值最小的子区域标记为Amin； 将第一次获取的导体屏蔽层应力分布图中的Trap区域和Trak区域在最近时刻获取到的导体屏蔽层应力分布图上的投影为Trap’区域和Trak’区域，标记出Amax区域中应力最大值对应的点为P1，Amin区域中应力最大值对应的点为P2，Trap区域中应力最大值对应的点在Trap’区域中投影的点为P3，Trak区域中应力最大值对应的点在Trak’区域中投影的点为P4，将P1，P2，P3，P4四点构成的四边形区域标记为应力扩散区域； 将几何模型导入到Blender中进行仿真实验，周期性获取多幅导体屏蔽层电场分布图，获取第一次获取的导体屏蔽层电场分布图和最后一次获取的导体屏蔽层电场分布图； 使用sobel边缘算法将第一次获取的导体屏蔽层电场分布图分为多个场强子区域，计算各个场强子区域的平均场强和所有场强子区域的平均值，筛选出所有大于平均值的场强子区域，将所有大于平均值的场强子区域的平均场强最大的区域标记为Srap，平均场强最小的区域标记为Srak； 获取最近时刻获取到的导体屏蔽层电场分布图，使用sobel边缘算法将最近时刻获取到的导体屏蔽层电场分布图分为多个子区域，计算所有子区域中的场强平均值，将场强平均值最大的子区域标记为Bmax，场强平均值最小的子区域标记为Bmin； 将第一次获取的导体屏蔽层电场分布图中的Srap区域和Srak区域在最近时刻获取到的导体屏蔽层电场分布图上的投影为Srap’区域和Srak’区域，标记出Bmax区域中场强最大值对应的点为Q1，Bmin区域中场强最大值对应的点为Q2，Srap区域中场强最大值对应的点在Srap’区域中投影的点为Q3，Srak区域中场强最大值对应的点在Srak’区域中投影的点为Q4，将Q1，Q2，Q3，Q4四点构成的四边形区域标记为场强扩散区域； 将应力扩散区域在获取的所有导体屏蔽层应力分布图中的投影为应力扩散投影区域SP，将所有应力扩散投影区域SP按照获取时间排列，以j作为应力扩散投影区域的序号，SPj表示第j个应力扩散投影区域； 将场强扩散区域在获取的所有导体屏蔽层电场分布图中的投影为场强扩散投影区域SQ，将所有场强扩散投影区域按照获取时间排列，以j作为应力扩散投影区域的序号，SQj表示第j个场强扩散投影区域； 在j的取值范围内，计算应力扩散投影区域SPj的应力平均值stressj作为第j个应力扩散投影区域的应力大小，遍历所有应力扩散投影区域的应力大小，通过公式计算第j个应力扩散投影区域的应力传递能力，其中，N表示应力扩散投影区域的数量，如果在j的取值范围内都满足：CHAj|stressj-stressj-1|，则认为应力扩散区域出现应力传递障碍，并将应力扩散区域标记为陷阱区域； 同样地，在j的取值范围内，计算场强扩散投影区域SQj的场强平均值electricj作为第j个场强扩散投影区域的场强大小，遍历所有场强扩散投影区域的场强大小，通过公式计算第j个场强扩散投影区域的场强传递能力，其中，N表示场强扩散投影区域的数量，如果在j的取值范围内都满足：CHBj|electricj-electricj-1|，则认为场强扩散区域出现场强传递障碍，并将场强扩散区域标记为陷阱区域；根据陷阱区域修正导体屏蔽层的具体方法为：利用挤出机对电缆陷阱区域进行修补，工作参数与第一次挤出对应的工作参数一致。

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