南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司高江东获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121035769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511554533.9，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法是由高江东;张建立;江风益;全知觉;罗文彪;李君昱;赵诣设计研发完成，并于2025-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法，结构包括异质结有源区、第一导电层、第二导电层、第一反射镜、第二反射镜、第一电极以及第二电极，其中第一导电层包括凸起的光波导限制结构，光波导限制结构向背离异质结有源区的一侧凸起，用于光场能量集中；第一电极与第一导电层欧姆接触形成第一欧姆接触区，第二电极与第二导电层欧姆接触形成第二欧姆接触区，第一欧姆接触区与第二欧姆接触区的正投影被光波导限制结构的正投影隔离。通过面内错位电极布局，结合异质结有源区的沟道传输特性与光波导限制结构的光场约束机制，增强了芯片的电流面内传输能力与光场能量累积效率，缓解了电极高电流负载问题。
本发明授权一种薄膜型面发射电光芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜型面发射电光芯片结构，其特征在于，包括： 异质结有源区，包括相对设置的第一发射面和第二发射面； 第一导电层，设置于所述异质结有源区的第一发射面，所述第一导电层包括凸起的光波导限制结构，所述光波导限制结构向背离所述异质结有源区的一侧凸起，所述光波导限制结构用于光场能量集中； 第二导电层，设置于所述异质结有源区的第二发射面，所述第一导电层和所述第二导电层的导电类型不同； 第一反射镜，所述第一反射镜至少设置于所述光波导限制结构背离所述异质结有源区的一侧； 第二反射镜，所述第二反射镜设置于所述第二导电层背离所述异质结有源区的一侧； 第一电极，所述第一电极与所述第一导电层欧姆接触形成第一欧姆接触区； 第二电极，所述第二电极与所述第二导电层欧姆接触形成第二欧姆接触区，所述第一欧姆接触区与所述第二欧姆接触区的正投影被所述光波导限制结构的正投影隔离。
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