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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置及产生方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069681B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511466893.3，技术领域涉及：G02F1/21；该发明授权一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置及产生方法是由苏玉龙;霍静岚;薛嘉仪;夏雨晴设计研发完成，并于2025-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置及产生方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置和方法，其中装置包括光移频单元、光学边带调相干涉单元和控制单元，本发明的装置采用正交马赫曾德尔调制结构实现1.5μm波段光波的光学边带移频，移频后的光信号含有残余载波和残余边带，此时进入光学边带调相干涉单元。光学边带调相干涉单元采用两级调相结构分别实现奇偶边带的相消抑制，第一级采用光纤移相器和可调光纤延迟线抑制偶阶边带，第二级采用光纤移相器和可调光纤延迟线抑制奇阶边带。控制单元分别调节光纤移相器的相位改变量和可调光纤延迟的延迟量，最终输出超高抑制比的光学单边带移频信号。本发明可以对任意调制格式的射频信号的各个边带的抑制比提升20dB以上。

本发明授权一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置及产生方法在权利要求书中公布了：1.一种超高抑制比的光学单边带移频产生装置，其特征在于，包括光移频单元、光学边带调相干涉单元和控制单元； 所述光移频单元，用于在所述控制单元的控制下，基于正交马赫曾德尔调制结构对输入的射频信号进行光学边带移频，得到移频后的光信号；其中，所述移频后的光信号中含有残余载波和残余边带； 所述光学边带调相干涉单元，用于在所述控制单元的控制下，采用两级调相结构对所述移频后的光信号包含的残余载波和残余边带进行抑制，得到光学单边带信号； 所述光学边带调相干涉单元包括第一光学耦合器、第一光纤移相器、第一可调光纤延迟线、第二光学耦合器、第三光学耦合器、第二可调光纤延迟线、第二光纤移相器和第四光学耦合器；其中，所述光移频单元的输出端连接第一光学耦合器的输入端，所述第一光学耦合器输出两路光波分别至所述第一光纤移相器和第一可调光纤延迟线，所述第一光纤移相器和第一可调光纤延迟线的输出端对应连接第二光学耦合器的输入端，所述第二光学耦合器的输出端连接至所述第三光学耦合器的输入端，所述第三光学耦合器的输出端对应连接第二光纤移相器和第二可调光纤延迟线的输入端，所述第二光纤移相器和第二可调光纤延迟线的输出端连接至所述第四光学耦合器的输入端，所述光学耦合器的输出端输出光学单边带信号； 所述第一可调光纤延迟线的延迟量与所述射频信号的频率fs满足关系； 所述第一光纤相移器的相位改变量与第一可调光纤延迟线引入的相位改变量相同；所述第二可调光纤延迟线的延迟量与fs满足关系； 所述第二光纤相移器的相位改变量与第二可调光纤延迟线引入的相位改变量相同。

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