宁波云极芯半导体科技有限公司陈刚获国家专利权
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龙图腾网获悉宁波云极芯半导体科技有限公司申请的专利一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121114523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511429737.X，技术领域涉及：G01R3/00；该发明授权一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法是由陈刚设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法，包括以下步骤：步骤10，刻蚀内层电路图形对应的绝缘层后，在硅板和绝缘层上涂敷光刻胶，形成光刻胶层；进行曝光和显影，形成外层电路图形；步骤20，刻蚀外层电路图形对应的绝缘层，刻蚀厚度小于绝缘层的厚度；步骤30，在内层电路图形对应的硅板上制备得到探针；步骤40，刻蚀外层电路图形对应的剩余绝缘层。本发明提供的一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法，有效降低探针尖端部分的光刻胶残留，提高探针尖端成品良率。
本发明授权一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法在权利要求书中公布了：1.一种减少光刻胶残留的探针卡制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤10，刻蚀内层电路图形对应的绝缘层后，在硅板1和绝缘层2上涂敷光刻胶，形成光刻胶层3；进行曝光和显影，形成外层电路图形21； 步骤20，刻蚀外层电路图形对应的绝缘层2，刻蚀厚度小于绝缘层2的厚度； 步骤30，在内层电路图形对应的硅板上制备得到探针4； 步骤40，刻蚀外层电路图形对应的剩余绝缘层2。
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