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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121142266B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511676876.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法是由吴义针;汪连山;麻胜恒设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法，属于半导体器件测试技术领域。该方法在不同测试环境温度下对待测试氧化镓功率器件进行时段性功率损耗测试，获取第一功率损耗分析数据；基于此在不同测试环境湿度下进行测试，获取第二功率损耗分析数据；最后根据两类数据对每个器件进行功率损耗异常预警。本发明通过构建温‑功率、湿‑功率的量化分析模型，采用功率曲线区域面积积分法精确计算时段损耗，并与理论通态损耗比对，有效分离了环境因素引起的附加损耗，解决了现有测试方法缺乏温湿度针对性的问题。本发明能准确评估氧化镓功率器件在不同环境条件下的损耗特性与可靠性，测试结果精准，为器件设计优化与质量管控提供有力支持。

本发明授权一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氧化镓的功率器件损耗测试方法，其特征在于，包括以下步骤： S100、获取若干个基于氧化镓的待测试元器件，设置多个测试环境温度，对不同测试环境温度下的待测试元器件进行时段性功率损耗测试，根据测试结果获取第一功率损耗分析数据； S200、基于所述第一功率损耗分析数据，设置多个测试环境湿度，对不同测试环境湿度下的待测试元器件进行时段性功率损耗测试，根据测试结果获取第二功率损耗分析数据； S300、根据所述第一功率损耗分析数据和第二功率损耗分析数据，对每一个待测试元器件进行功率损耗异常预警： S310、从第一功率损耗分析数据中获取每一个待测试元器件所对应的温度功耗峰值偏差；所述温度功耗峰值偏差是待测试元器件所有测试环境温度所对应的功率损耗偏差监测数值中最大的功率损耗偏差监测数值； S320、从第二功率损耗分析数据中获取每一个待测试元器件所对应的湿度功耗峰值偏差；所述湿度功耗峰值偏差是待测试元器件所有测试环境湿度所对应的功率损耗偏差监测数值中最大的功率损耗偏差监测数值； S330、获取预设的温度功耗基准偏差和湿度功耗基准偏差； S340、计算每一个温度功耗峰值偏差与温度功耗基准偏差之差，得到多个温度功耗异常偏差，计算每一个湿度功耗峰值偏差与湿度功耗基准偏差之差，得到多个湿度功耗异常偏差； S350、根据每一个待测试元器件所对应的温度功耗异常偏差和湿度功耗异常偏差进行功率损耗异常预警。

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