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龙图腾网获悉深圳市因梦晶凯测试技术有限公司申请的专利芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121148459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511677329.6，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质是由赖杨冰;曲虹亮;王浩酽设计研发完成，并于2025-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质在说明书摘要公布了：本申请提出一种芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质。芯片存储区域测试方法包括：获取待测试DRAM芯片中用于存放目标测试程序的目标区域的地址；加载初始测试程序至测试系统SOC中的SRAM芯片，调用初始测试程序根据地址对目标区域进行测试；在目标区域测试通过的情况下，根据目标测试程序与目标区域对待测试DRAM芯片中除目标区域之外的区域进行测试。通过上述芯片存储区域测试方法，消除了待测试DRAM芯片的检测盲区，实现了待测试DRAM芯片的全物理内存空间即全部存储区域的可靠测试。

本发明授权芯片存储区域测试方法、装置、设备以及计算机存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片存储区域测试方法，其特征在于，所述芯片存储区域测试方法包括： 获取待测试DRAM芯片中的目标区域的地址，其中，所述目标区域为所述待测试DRAM芯片中目标测试程序占用的物理内存空间，其中，所述目标测试程序为引导加载程序，所述引导加载程序用于测试存放内核程序的第一区域，所述内核程序用于测试第二区域，所述第一区域、所述第二区域和所述目标区域组成所述待测试DRAM芯片的存储区域； 加载初始测试程序至测试系统SOC中待测试DRAM芯片外部的SRAM芯片，在将所述目标测试程序占用所述目标区域之前，调用所述初始测试程序根据所述地址对所述目标区域进行测试； 在所述目标区域测试通过的情况下，根据所述目标测试程序与所述目标区域对所述待测试DRAM芯片中除所述目标区域之外的区域进行测试； 其中，根据所述目标测试程序与所述目标区域对所述待测试DRAM芯片中除所述目标区域之外的区域进行测试，包括：加载所述引导加载程序至所述目标区域，并执行所述引导加载程序以对所述第一区域进行测试；在所述第一区域测试通过之后，加载所述内核程序至所述第一区域，并执行所述内核程序以对所述第二区域进行测试。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市因梦晶凯测试技术有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区黄阁北路449号龙岗天安数码创新园二号厂房B1103；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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