安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司梁栋栋获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121171973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511704709.4，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备是由梁栋栋;张安;张盖;陈有德;张得亮设计研发完成，并于2025-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备，包括：提供衬底；衬底上包括经由衬底的第一表面向衬底内延伸的西格玛沟槽；于西格玛沟槽内表面形成缓冲层后，形成覆盖缓冲层的锗烯过渡层；锗烯过渡层包括因初始缓冲层晶格失配及局部应力形成的凸出部；采用脉冲等离子体刻蚀工艺选择性刻蚀并去除凸出部，以及凸出部覆盖的缓冲层；在相同工艺步骤中同期对缓冲层进行损伤修复，并去除锗烯过渡层；形成至少填满西格玛沟槽的锗硅籽晶层。能够避免杂质污染风险，减少缓冲层位错密度，提升硅锗生长质量。
本发明授权嵌入式锗硅器件及其制备方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式锗硅器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底；所述衬底上包括经由所述衬底的第一表面向所述衬底内延伸的西格玛沟槽； 于所述西格玛沟槽内表面形成初始缓冲层后，形成覆盖所述初始缓冲层的锗烯过渡层；所述锗烯过渡层包括因所述初始缓冲层晶格失配及局部应力形成的凸出部； 采用脉冲等离子体刻蚀工艺选择性刻蚀并去除所述凸出部，以及所述凸出部覆盖的部分初始缓冲层； 在相同工艺步骤中同期对所述初始缓冲层进行损伤修复得到目标缓冲层，并去除所述锗烯过渡层； 于所述目标缓冲层的顶面上，形成至少填满所述西格玛沟槽的锗硅籽晶层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市蜀山区九龙路111号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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