泉州师范学院吴巍获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州师范学院申请的专利形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121192057B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511724976.8，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构是由吴巍;陈文杰;林胤哲;王锋设计研发完成，并于2025-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构，该方法通过在硅基绝缘介质层中形成通孔和沟槽；在通孔和沟槽中填充金属钴，形成金属结构；以金属结构为自对准掩模，将至少一种含氟气体和至少一种钝化气体进行混合，采用等离子体刻蚀工艺对绝缘介质层进行反向刻蚀，直至暴露出金属结构，形成金属线条，得到半大马士革金属互联结构；在刻蚀过程中，含氟气体用于化学刻蚀硅基绝缘介质层，钝化气体用于在金属结构表面形成保护层。本发明通过对反刻蚀的工艺逻辑革新，减少工艺流程，实现消除传统工艺硬掩模对准偏差的传递。
本发明授权形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法及其结构在权利要求书中公布了：1.一种形成半大马士革金属互联的绝缘介质反刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 在硅基绝缘介质层中形成通孔和沟槽； 在通孔和沟槽中填充金属钴，形成金属结构； 以金属结构为自对准掩模，将至少一种含氟气体和至少一种钝化气体进行混合，采用等离子体刻蚀工艺对绝缘介质层进行反向刻蚀，直至暴露出金属结构，形成金属线条，得到半大马士革金属互联结构； 在刻蚀过程中，含氟气体用于化学刻蚀硅基绝缘介质层，钝化气体用于在金属结构表面形成保护层； 硅基绝缘介质层为SiCNSiCO复合低k介质层； 含氟气体选自CF4、C2F6、C3F8、SF6和NF3中的至少一种； 钝化气体选自CHF3、C4F6、C4F8和CH3F中的至少一种。
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