湖北九峰山实验室李浩宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121218706B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511738310.8，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法是由李浩宇;潘磊;卢双赞;刘力;徐豪设计研发完成，并于2025-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法，氮化镓异质结紫外探测器包括依次叠设的第一电极、衬底、二维h‑BN层、非掺GaN成核层、p型GaN层以及第二电极。本发明插入了二维h‑BN层，作为外延模板，简化了制备工艺并降低成本，实现了高质量GaN薄膜生长。本发明采用二维h‑BN作为隧穿层，优化氮化镓异质结光电探测器结构，利用其原子级厚度和宽禁带能带结构，使得异质结间的载流子能够通过量子隧穿效应高效穿越该绝缘层，为光生电子空穴对提供了一条高效的垂直输运路径，同时其界面钝化效应又能有效抑制界面散射和界面复合，实现极低的暗电流。
本发明授权氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓异质结紫外探测器，其特征在于，包括依次叠设的第一电极、衬底、二维h-BN层、非掺GaN成核层、p型GaN层以及第二电极； 所述二维h-BN层的厚度为1-3nm； 所述二维h-BN层中结合有AlN，将超薄AlN与h-BN结合形成超晶格结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北九峰山实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励