苏州中瑞宏芯半导体有限公司张振中获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州中瑞宏芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121240520B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511809790.2，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种半导体器件及其制造方法是由张振中;刘迅航设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件包括形成于半导体衬底上的外延层、结型场效应晶体管、开关晶体管；结型场效应晶体管设置于外延层中，包括第一源极区、第一栅极区、第一漏极区以及屏蔽区，屏蔽区设置于外延层中，并位于第一栅极区与半导体衬底之间；开关晶体管设置于外延层中，开关晶体管包括第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区；其中，屏蔽区与第二漏极区电性连接，第二源极区与第一源极区电性连接，第一栅极区与第二栅极区配置为由同一栅极信号控制。
本发明授权一种半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 形成于半导体衬底上的外延层； 结型场效应晶体管，设置于所述外延层中，包括第一源极区、第一栅极区、第一漏极区以及屏蔽区，所述屏蔽区设置于所述外延层中，并位于所述第一栅极区与所述半导体衬底之间；以及 开关晶体管，设置于所述外延层中，所述开关晶体管包括第二源极区、第二漏极区以及第二栅极区； 其中，所述屏蔽区与所述第二漏极区电性连接，所述第二源极区与第一源极区电性连接，所述第一栅极区与所述第二栅极区配置为由同一栅极信号控制。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州中瑞宏芯半导体有限公司，其通讯地址为：215127 江苏省苏州市自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区东长路88号2.5产业园N3幢101室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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