上海芯源创新中心刘杰英获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯源创新中心申请的专利一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121310866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511834053.8，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构是由刘杰英;梁世博设计研发完成，并于2025-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构，涉及半导体材料与器件制造技术领域。其通过多次无破损转移小面积低维半导体材料组成阵列，达到晶圆级无破损低维半导体材料阵列的转移，可用于实现高良率的晶圆级低维半导体材料转移和芯片制造。
本发明授权一种转移低维半导体材料的方法及其阵列结构在权利要求书中公布了：1.一种转移低维半导体材料的方法，其特征在于，包括以下步骤： S100，将生长在源衬底上的低维半导体材料切割成多个低维半导体材料小片； S200，利用转移平台，对单个低维半导体材料小片进行定位转移； S300，重复步骤S200，在目标衬底上形成低维半导体材料阵列，实现晶圆级低维半导体材料的无破损转移，其中， 所述低维半导体材料阵列由所述多个低维半导体材料小片拼接而成， 每个低维半导体材料小片的尺寸大于等于目标芯片裸片的尺寸，并且转移后相邻低维半导体材料小片之间的缝隙位于所述目标芯片裸片的非沟道区域，以及 切割所述多个低维半导体材料小片时，将所述源衬底同时切割，以形成低维半导体材料源衬底的小片结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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