天津工业大学梅云辉获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121311053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511842087.1，技术领域涉及：H10W70/40；该发明授权一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构是由梅云辉;苏德胜;朱高嘉;李龙女设计研发完成，并于2025-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构，主基板两端设有正极连接端子和交流连接端子，两端子之间设有第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片的正极功率电极与正极连接端子电连接，第二芯片的正极功率电极和交流连接端子电连接，第二芯片的负极功率电极和负极端子电连接；控制基板跨设于两个芯片正上方，控制基板一侧表面设有第一过桥连接片，所述第一芯片的负极功率电极通过过桥连接片与交流连接端子电连接，控制基板另一侧表面设有多个能与两芯片栅极通电的栅极连接片。本发明采用在主基板上方设置控制基板，使得器件的栅极设置在空间上方，降低了栅极占用更大的平面空间，同时缩短栅极连接片与芯片栅极的间距，降低封装结构整体大小。
本发明授权一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构在权利要求书中公布了：1.一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构，其特征在于：包括 主基板，其一端设有正极连接端子，另一端设有交流连接端子，所述正极连接端子和交流连接端子之间固设有第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片的正极功率电极与正极连接端子电连接，第二芯片的正极功率电极和交流连接端子电连接，第二芯片的负极功率电极和负极端子电连接； 控制基板，其跨设于两个芯片正上方，控制基板一侧表面设有第一过桥连接片，所述第一芯片的负极功率电极通过第一过桥连接片与交流连接端子电连接，控制基板另一侧表面设有多个栅极连接片，第一芯片和第二芯片的栅极分别与栅极连接片电连接； 所述负极端子固设于控制基板远离第二芯片的一侧； 所述第一芯片和第二芯片的栅极至少有部分置于控制基板所覆盖区域的投影外侧。
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