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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335192B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882758.7，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法是由陈梅芹;麻胜恒;汪连山;陈福鑫;赵柏聿设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成GaNCascode器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。其包括在同一硅基衬底上集成增强型GaNMOSFET与耗尽型GaNHEMT，通过金属互联层实现电极连接。制备方法包括外延生长、刻蚀处理、掺杂区制作、金属电极沉积及介质层与互联金属的制备。本申请能够显著减小Cascode器件面积，消除寄生参数，提升开关速度和功率密度，同时实现normally‑off特性，兼顾可靠性和驱动简易性，为高频高功率应用提供优越解决方案。

本发明授权一种单片集成GaN Cascode器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成GaNCascode器件，其特征在于，包括： 衬底； 集成在衬底上的GaNMOSFET器件和位于GaNMOSFET器件上的GaNHEMT器件；所述GaNMOSFET器件和GaNHEMT器件通过金属互连结构实现电学连接；以及 覆盖在GaNMOSFET器件和GaNHEMT器件上的介质层； 所述GaNMOSFET器件包括由衬底在内的自下而上的成核层、MOSFET缓冲层和p-GaN层构成的GaNMOSFET器件外延结构，以及设置于所述p-GaN层上的源极掺杂区、MOSFET源极金属、漏极掺杂区、MOSFET漏极金属、MOSFET栅极氧化层和MOSFET栅极金属；其中，MOSFET栅极金属作为所述GaNCascode器件的栅极； 所述GaNHEMT器件包括自下而上设置于p-GaN层上的HEMT缓冲层、沟道层和势垒层；以及设置于所述势垒层上的HEMT源极金属、HEMT漏极金属、HEMT栅极氧化层和HEMT栅极金属；其中，HEMT漏极金属作为所述GaNCascode器件结构的漏极。

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