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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于双光子光刻的Nano-QLED器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511871574.0，技术领域涉及：H10K71/20；该发明授权一种基于双光子光刻的Nano-QLED器件的制备方法是由金一政;王晨扬;梁东艺设计研发完成，并于2025-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于双光子光刻的Nano-QLED器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于双光子光刻的Nano‑QLED器件的制备方法，所述Nano‑QLED器件包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层的制备方法，包括：采用多焦点并行双光子光刻方法将飞秒级激光束分成多个子光束，所述多个子光束作用在载流子传输层上形成纳米级图形化的绝缘结构，所述绝缘结构的材料具有双光子响应特性；在所述绝缘结构的间隙内充填纳米级发光量子点，以形成所述量子点发光层。该制备方法能够满足大面积同时高精度的加工需求。

本发明授权一种基于双光子光刻的Nano-QLED器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双光子光刻的Nano-QLED器件的制备方法，所述Nano-QLED器件包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层的制备方法，包括： 步骤1采用多焦点并行双光子光刻方法将飞秒级激光束分成多个子光束，所述多个子光束作用在载流子传输层上的绝缘层，形成纳米级图形化的绝缘结构，所述绝缘结构的材料具有双光子响应特性； 步骤2在所述绝缘结构的间隙内充填纳米级发光量子点，以形成所述量子点发光层； 步骤1还包括动态矫正过程，包括： 进行飞秒级激光束双光子曝光时，利用CMOS获得二维成像信号从而得到实时的全息投影图像，同时获得加工平面后的透射散射光从而得到实时的全息投影图像的反转图像，将实时的全息投影图像和对应的反转图像进行实时叠加对比得到第一比对信息； 将预设的全息投影图案与实时ODT图像进行比对得到第二比对信息，所述ODT图像基于所述透射散射光通过集成式光学衍射断层扫描得到，基于第一比对信息和第二比对信息通过卷积神经网络提取光斑阵列的形貌特征，然后基于所述形貌特征利用Transformer模型对时间序列中的光路漂移和折射率变化进行参数拟合与预测，从而构建动态矫正模型，将实时的第一、第二对比信息输入所述动态矫正模型得到误差补偿指令，通过所述误差补偿指令调整多个输出子光束的光强和焦点位置。

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