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龙图腾网获悉中科(深圳)无线半导体有限公司申请的专利一种氧化镓基外延结构检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121335506B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511882754.9，技术领域涉及：H10P74/20；该发明授权一种氧化镓基外延结构检测方法是由汪连山;赵柏聿;高放;麻胜恒设计研发完成，并于2025-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氧化镓基外延结构检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化镓基外延结构检测方法，涉及电学领域，包括步骤S1：分别对每一个待检电子元器件进行晶格温度失配性分析，得到元器件晶格温度失配数据；步骤S2：根据晶格温度失配数据对外延结构异常性判断，并对初检正常元器件进行漏电量分析，获取漏电检测数据；步骤S3：根据漏电检测数据进行外延结构检测预警。本申请能够通过晶格温度失配性分析和漏电量检测，保证氧化镓基外延结构检测的完整性与准确性，提升检测效率与可靠性。

本发明授权一种氧化镓基外延结构检测方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓基外延结构检测方法，其特征在于，包括以下具体步骤： 步骤S1：对需要进行氧化镓基外延结构检测的电子元器件进行获取，分别对每一个电子元器件进行晶格温度失配性分析，得到元器件晶格温度失配数据； 步骤S11：对需要进行氧化镓基外延结构检测的电子元器件进行获取，得到多个待检测电子元器件，并在所获取的多个电子元器件中选取一个样本电子元器件； 步骤S12：对样本电子元器件进行晶格常数温度变化性检测，根据检测结果获取样本电子元器件所对应的晶格常数温度失配系数； 步骤S13：分别获取每一个待检测电子元器件所对应的晶格常数温度失配系数，得到元器件晶格温度失配数据； 步骤S2：根据元器件晶格温度失配数据对每一个待检测电子元器件进行外延结构异常性判断，根据判断结果对初检正常元器件进行漏电量分析，根据分析结果获取元器件漏电检测数据； 步骤S21：获取元器件晶格温度失配数据，根据元器件晶格温度失配数据分别获取每一个待检测电子元器件所对应的晶格常数温度失配系数； 步骤S22：获取晶格常数温度失配系数基准区间，若晶格常数温度失配系数处于晶格常数温度失配系数基准区间，则将对应的待检测电子元器件划分为初检正常元器件，若晶格常数温度失配系数不处于晶格常数温度失配系数基准区间，则将对应的待检测电子元器件划分为初检异常元器件，得到元器件初检数据； 步骤S23：在初检正常元器件中任意选取一个特征元器件，对特征元器件进行时段性漏电流检测，根据结果获取特征元器件所对应的时段偏压平均漏电速率； 步骤S24：分别获取每一个初检正常元器件所对应的时段偏压平均漏电速率； 步骤S25：将元器件初检数据以及每一个初检正常元器件所对应的时段偏压平均漏电速率定义为元器件漏电检测数据； 步骤S3：根据元器件漏电检测数据对每一个待检元器件进行外延结构检测预警； 所述步骤S12中，还包括以下具体步骤： 步骤S121：在对样本电子元器件进行晶格常数温度变化性分析的过程中，针对样本电子元器件所处的工作环境设置T1环境测试温度至Ta环境测试温度； 步骤S122：对处于T1环境测试温度的样本电子元器件进行晶格常数分析，根据分析结果获取T1温度晶格失配度； 步骤S123：分别对处于T1环境测试温度的样本电子元器件进行晶格常数分析，得到T2温度晶格失配率至Ta温度晶格失配率； 步骤S124：分别获取样本电子元器件在T1环境测试温度至Ta环境测试温度下的基准晶格失配率，得到T1温度基准失配率至Ta温度基准失配率； 步骤S125：计算T1温度晶格失配率与T1温度基准失配率的差值，并对所得差值取绝对值，得到T1温度晶格失配偏差，计算Ta温度晶格失配率与Ta温度基准失配率的差值，并对所得差值取绝对值，得到Ta温度晶格失配偏差； 步骤S126：对T1温度晶格失配偏差至Ta温度晶格失配偏差进行求和，得到温度晶格失配偏差综合值，对T1温度基准失配率至Ta温度基准失配率进行求和，得到温度晶格失配基准综合值，计算温度晶格失配偏差综合值与温度晶格失配基准综合值的比值，得到样本电子元器件所对应的晶格常数温度失配系数。

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