杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院沈沛沛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121357873B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511915221.6，技术领域涉及：H05K9/00；该发明授权一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法是由沈沛沛;王朋飞;陈华;韩常密;陈云博设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法在说明书摘要公布了：本公开涉及低磁噪声磁屏蔽技术领域，公开了一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法，包括：由Finemet型非晶合金带材经退火晶化处理得到的纳米晶合金带材；设置于纳米晶合金带材的无磁性保护膜，保护膜通过绝缘粘接剂与纳米晶合金带材贴合；由多条纳米晶合金带材经过拼接和模切处理而形成的单层磁屏蔽片，相邻纳米晶合金带材的拼接处设置有交叠区；由单层磁屏蔽片层叠或卷绕形成的多层磁屏蔽结构；以及用于支撑固定所述多层磁屏蔽结构的无磁性支撑骨架。通过采用Finemet型纳米晶合金作为核心磁屏蔽材料，并贴合覆合无磁性保护膜的独特结构，实现了磁屏蔽器件超低固有磁噪声与优良机械加工性的兼顾。
本发明授权一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超低磁噪声的纳米晶合金磁屏蔽器件，其特征在于，包括： 由Finemet型非晶合金带材经退火晶化处理得到的纳米晶合金带材； 设置于所述纳米晶合金带材至少一个表面的无磁性保护膜，所述无磁性保护膜通过绝缘粘接剂与所述纳米晶合金带材贴合； 由多条所述纳米晶合金带材经过拼接和模切处理而形成的单层磁屏蔽片，拼接过程中相邻纳米晶合金带材的拼接处设置有交叠区；其中，所述交叠区的宽度为，以平衡磁性能与结构设计； 由至少一个所述单层磁屏蔽片层叠或卷绕形成的多层磁屏蔽结构；以及用于支撑固定所述多层磁屏蔽结构的无磁性支撑骨架； 其中，所述纳米晶合金带材的微观结构主体为单相纳米晶相，且纳米晶的晶粒尺寸为； 所述退火晶化处理为在惰性气体或真空氛围下进行的三步退火处理，包括： 第一退火阶段：在下退火分钟； 第二退火阶段：在下退火分钟； 第三退火阶段：在下退火分钟。
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