北京大学深圳研究生院陆磊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学深圳研究生院申请的专利一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121368163B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511936517.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备是由陆磊;刘晋闻;丁渊;秦锋;张盛东;李潇;杨圣杰;谢锋;王吉晟设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提出了一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备，涉及半导体器件领域。本申请提出的有源层结构包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层。其中，第一氧化物半导体层材料的禁带宽度大于3.7eV，第三氧化物半导体层的迁移率至少为50cm2·V‑1·s‑1，第二氧化物半导体层位于第一氧化物半导体层和第三氧化物半导体层之间，第二氧化物半导体层材料是锡的原子百分比含量在至少50%的多晶氧化物半导体。本申请解决了在光照条件下，由电离氧空位的扩散引起的器件阈值电压漂移的问题。
本发明授权一种半导体器件、有源层结构、制备方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的有源层结构，其特征在于，包括第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层和第三氧化物半导体层，其中，所述第一氧化物半导体层材料的禁带宽度大于3.7eV，所述第三氧化物半导体层材料的迁移率至少为50cm2·V-1·s-1，所述第二氧化物半导体层位于所述第一氧化物半导体层和所述第三氧化物半导体层之间，所述第二氧化物半导体层材料是锡的原子百分比含量在至少50%的多晶氧化物半导体； 当所述有源层结构受到光照时，所述第三氧化物半导体层中的氧空位配置为发生电离生成电离氧空位并向所述第二氧化物半导体层扩散，所述第二氧化物半导体层中的电子配置为与至少部分所述电离氧空位复合。
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