西湖大学周曼曼获国家专利权
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龙图腾网获悉西湖大学申请的专利一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398476B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511964701.1，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片是由周曼曼;李西军设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在氧化钨薄膜上形成有机聚合物软掩膜层；在ICP刻蚀设备中，采用三氟甲烷为主体的刻蚀气体，对具备所述有机聚合物软掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成氧化钨刻蚀结构；在刻蚀过程中，所述三氟甲烷的流量范围为35sccm至90sccm，ICP源功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，以实现原位自清洁；所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为85度至90度，所述氧化钨刻蚀结构的沟槽底部的碳元素原子百分比不超过1.02%。其有益效果是，同时实现精准形貌刻蚀与原位自清洁。
本发明授权一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片在权利要求书中公布了：1.一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括： 在氧化钨薄膜上形成有机聚合物软掩膜层； 在ICP刻蚀设备中，刻蚀气体由三氟甲烷组成，对具备所述有机聚合物软掩膜层的所述氧化钨薄膜进行刻蚀，以形成氧化钨刻蚀结构；在刻蚀过程中，所述三氟甲烷的流量范围为35sccm至90sccm，ICP源功率与偏置功率的比值范围为1.53:1至3.3:1，以实现原位自清洁；所述氧化钨刻蚀结构的侧壁倾斜角为85度至90度，所述氧化钨刻蚀结构的沟槽底部的碳元素原子百分比不超过1.02%。
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