西安理工大学万银获国家专利权
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龙图腾网获悉西安理工大学申请的专利基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121407203B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512007978.1，技术领域涉及：G06F30/27；该发明授权基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法是由万银;刘丁;韩春杰;陈鑫亮;任俊超设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法在说明书摘要公布了：本申请提出一种基于事件触发学习的半导体硅单晶生长值预测方法，属于硅单晶生长预测技术领域。包括以下步骤：根据硅单晶生长机理构建值状态空间模型；将值状态空间模型嵌入长短期记忆网络中，构建网络模型；在网络模型中引入注意力机制，并依次进行加权融合处理和物理约束映射处理，构建网络模型；基于事件触发学习机制，并利用半导体硅单晶生长值的历史时序数据对网络模型进行训练和调整，得到训练好的网络模型；将当前时刻的工艺参数输入训练好的网络模型中，并对下一时刻的半导体硅单晶生长值进行预测。本申请能够提高对半导体硅单晶生长值预测的准确性、实时性和自适应更新能力。
本发明授权基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于事件触发学习的半导体硅单晶生长值预测方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 根据硅单晶生长机理构建值状态空间模型，包括： 利用硅晶体生长界面处的温度梯度，以及硅晶体生长速度，构建值参数模型； 利用硅熔体的温度随时间变化的能量守恒方程和所述硅晶体生长界面的热传输方程，构建值动态热传输模型； 根据所述值参数模型和所述值动态热传输模型，构建所述值状态空间模型； 将所述值状态空间模型嵌入长短期记忆网络中，构建网络模型； 在所述网络模型中引入注意力机制，并依次进行加权融合处理和物理约束映射处理，构建网络模型； 基于事件触发学习机制，并利用半导体硅单晶生长值的历史时序数据对所述网络模型进行训练和调整，得到训练好的所述网络模型； 将当前时刻的工艺参数输入训练好的所述网络模型中，并对下一时刻的所述半导体硅单晶生长值进行预测。
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