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龙图腾网获悉成都市易冲半导体有限公司申请的专利一种栅极偏置电路及电平转换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121417881B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512000516.7，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权一种栅极偏置电路及电平转换器是由卿健;段新东设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极偏置电路及电平转换器在说明书摘要公布了：本申请提供一种栅极偏置电路及电平转换器，在电源VCCB和电源VCCA之间建立浮动电源域，在这个浮动电源域内通过电流镜的方式产生了以VCCA为虚拟地的偏置电压VBIAS=VCCA+VTH，偏置电压跟踪VCCA变化，且钳位电路保证偏置电压平稳上升至VBIAS，启动过程无过冲，避免因电压瞬态过高导致的瞬时漏电或晶体管应力问题，并实现了漏电抑制，满足了低电平传输需求。

本发明授权一种栅极偏置电路及电平转换器在权利要求书中公布了：1.一种栅极偏置电路，其特征在于，所述栅极偏置电路用于连接传输晶体管的栅极，所述栅极偏置电路包括： 第一电流源，用于产生电流I1；所述第一电流源耦接电源VCCB与电源VCCA之间； 电流镜电路，所述电流镜电路与所述第一电流源连接；所述电流镜电路用于产生电流I1的镜像电流，对偏置电压端进行充电； 钳位电路，所述钳位电路和所述电流镜电路连接；所述钳位电路用于使偏置电压端的电位不高于偏置电压VBIAS； 在所述电流镜电路开启时，利用电流I1的镜像电流，将偏置电压端充电至VBIAS，其中，VBIAS=VCCA+VTH；其中，VTH为传输晶体管的阈值电压； 所述电流镜电路包括：第二NMOS管和第三NMOS管； 电源VCCB连接所述第一电流源的输入端，所述第一电流源的输出端连接所述第二NMOS管的漏极，所述第二NMOS管的漏极与所述第二NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的栅极与所述第三NMOS管的栅极连接；所述第二NMOS管的源极耦接电源VCCA，所述第三NMOS管的漏极耦接电源VCCB，所述第三NMOS管的源极耦接偏置电压端； 所述钳位电路包括第一NMOS管和第四NMOS管； 所述第二NMOS管的源极连接所述第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极连接电源VCCA；所述第三NMOS管的源极连接所述第四NMOS管的漏极，所述第四NMOS管的源极连接电源VCCA，所述第四NMOS管的漏极与所述第四NMOS管的栅极连接。

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