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龙图腾网获悉润新微电子(大连)有限公司申请的专利一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511973887.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件是由任永硕;徐玲锐;王荣华;梁辉南;孙国臻设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，具体公开一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件，耗尽型氮化镓芯片包括栅电极、第一介质层、第二介质层、第三介质层和至少包括两层场板的第一场板单元，第一场板单元至少部分位于第二介质层与第三介质层之间，栅电极位于第一场板单元靠近源电极的一端且位于第三介质层与叠层结构之间，沿平行于衬底长度方向的水平方向，第一介质层、第二介质层、栅电极与第一场板单元均位于源电极欧姆金属与漏电极欧姆金属之间；源电极欧姆金属、栅电极与第一场板单元同层设置。本发明的耗尽型氮化镓芯片，简化工艺的同时可在一层介质层上形成多层场板，芯片的平坦度更好，使得封装后的器件可更好地应用在电路中。

本发明授权一种耗尽型氮化镓芯片及其制备方法、级联封装器件在权利要求书中公布了：1.一种耗尽型氮化镓芯片，包括源电极、漏电极、栅电极以及由下至上依次设置的衬底和叠层结构，其特征在于，所述耗尽型氮化镓芯片还包括第一介质层、第二介质层、第三介质层和第一场板单元，所述第一介质层位于叠层结构远离衬底的一侧，所述源电极和漏电极均位于第三介质层远离衬底的一侧，所述第一场板单元至少包括两层场板，所述第一场板单元至少一部分位于第二介质层与第三介质层之间，所述栅电极位于第一场板单元靠近源电极的一端且栅电极位于第三介质层与叠层结构之间，沿平行于衬底长度方向的水平方向，所述第一介质层、第二介质层、栅电极与第一场板单元均位于源电极欧姆金属与漏电极欧姆金属之间，所述第二介质层的部分底面及第三介质层的部分底面均与第一介质层的底面齐平； 所述叠层结构远离衬底一侧还设置有源电极欧姆金属和漏电极欧姆金属，所述源电极位于源电极欧姆金属的上方，所述漏电极位于漏电极欧姆金属的上方，所述源电极欧姆金属、漏电极欧姆金属、栅电极与第一场板单元同层设置。

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