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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所;联光元和(上海)企业发展有限公司申请的专利三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511986606.1，技术领域涉及：H10W80/00；该发明授权三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法是由肖克来提;张泗淇;黎明吉;张凯;刘道祥;陈吉设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法，通过光芯片与转接板晶圆的C2W键合形成三维堆叠结构，可以允许各光芯片分别加工，之后再键合在转接板晶圆上，降低封装工艺复杂度，提高封装可靠性；另外，每层光芯片焊盘区的焊盘均会与电互连区的部分导电过孔接触连接，且设置上层光耦合区相对下层光耦合区外缩露出下层光耦合区中的第一光学耦合器，从而沿光电转接结构的厚度层叠方向，光芯片从下向上面积依次增加，形成倒金字塔形状，电互连结构分布于光芯片外侧边，可有效避免在光芯片上制作导电柱结构，降低工艺复杂度，同时光互连结构也分布光芯片外侧边，可将光芯片中的光直接耦合至光电传输层，避免光耦合次数过多造成过高的效率损失。

本发明授权三维堆叠的光电共封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种三维堆叠的光电共封装结构的封装方法，其特征在于，所述封装方法包括以下步骤： S1，提供转接板晶圆；其中，所述转接板晶圆包括光耦合区及电互连区，所述电互连区位于所述光耦合区非延伸方向的两外侧，所述电互连区中形成有导电柱，所述导电柱自所述转接板晶圆表面向内延伸； S2，于裸露所述导电柱一面的所述转接板晶圆上形成至少一层光电转接结构；其中，每层所述光电转接结构包括光电传输层及键合在所述光电传输层上的光芯片，且每层所述光电传输层包括对应设置在下层光耦合区上方的上层光耦合区及对应设置在下层电互连区上方的上层电互连区，每层所述电互连区中形成有贯通所在光电传输层的导电过孔，且该导电过孔与下层所述导电柱或下层所述导电过孔接触连接，每层所述光耦合区中形成有两两相对间隔设置的光波导，每个所述光波导的波导层一端均具有进行光信号交换的第一光学耦合器，且所述上层光耦合区相对所述下层光耦合区外缩以露出下层光耦合区中的所述第一光学耦合器；每层所述光芯片包括光子器件区及设置于所述光子器件区两外侧的焊盘区，所述光子器件区中设置有光子器件，且所述光子器件的两端均具有进行光信号交换的第二光学耦合器，所述焊盘区设置在部分所述电互连区上方且设置有焊盘以向所述光子器件提供耦合电信号或直接电连接电信号，键合过程中，所述光子器件键合在两两相对间隔设置的所述光波导之间的上方，且所述光子器件两端的所述第二光学耦合器分别与两间隔设置的所述光波导的两所述第一光学耦合器在水平方向的投影至少部分重叠，所述焊盘与对应的所述导电过孔接触连接； S3，于所述导电柱上形成电性引出结构。

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