通威微电子有限公司林雨生获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅颗粒及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121426119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202512050232.9,技术领域涉及:C01B32/963;该发明授权一种碳化硅颗粒及其制备方法是由林雨生;徐豹;郑鉴唯设计研发完成,并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅颗粒及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种碳化硅颗粒及其制备方法,涉及半导体技术领域。采用包括流化床的反应系统制得粒径可控的碳化硅颗粒,碳化硅颗粒的平均粒径为3mm‑11mm;其中,流化床包括在锥壁内侧的喷嘴,并对喷嘴喷出的流体聚焦点以及流速进行设定。通过控制喷嘴喷出的流体流速进而精准控制产出成品的粒径大小,减少产品因粒径不达标而导致的不良率,能够实现很高的粒径良率。产品粒径可控,纯度高,规避了破碎筛分引入的风险,且生产过程不需要进行单炉的拆合,实现了连续生产,简化了生产过程,降低了投入成本,保障了产品的质量,提升了生产的效率,为未来产业化提供新的思路。
本发明授权一种碳化硅颗粒及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅颗粒的制备方法,其特征在于,采用包括流化床的反应系统制得粒径可控的碳化硅颗粒,所述碳化硅颗粒的平均粒径为3mm-11mm; 其中,所述流化床包括在锥壁内侧的喷嘴,喷嘴喷出的流体以流化床反应室的中轴线同一点为偏角点;喷嘴喷出的流体流速为8.35ms-22.86ms; 所述喷嘴设置在锥壁内侧的同一水平面,同一水平面喷嘴一圈为一组; 以竖直垂直地面的线为基准,竖直方向偏角α,同组方向α角方向均指向反应室中轴线同一点,偏角α为30°-60°; 在反应室的轴向方向,设喷嘴到中轴线的垂直距离为X,该组喷嘴偏角点距反应室底部的距离Y,Y=L1+L2,其中,L1为喷嘴距反应室底部的距离,L1为0.4m-0.6m;L2=Xtanα。
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