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龙图腾网获悉北京晶格领域半导体有限公司申请的专利一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121428669B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512034598.7，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法是由王国宾;张泽盛设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶体生长技术领域，特别是涉及一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置，包括坩埚、第一旋转升降轴和涡轮液泵套件；所述涡轮液泵套件包括导流挡板，所述导流挡板上部连接所述第一旋转升降轴，下部安装带有籽晶的籽晶托，涡轮叶片安装在所述导流挡板上，且围绕所述籽晶均匀分布，所述涡轮叶片下端的高度低于所述籽晶所在高度。本发明提供了一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法，能够提升溶液中溶质传输的稳定性及传输效率，提高晶体长时间生长稳定性。

本发明授权一种导流生长碳化硅单晶的装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种导流生长碳化硅单晶的装置，其特征在于，包括坩埚、第一旋转升降轴和涡轮液泵套件； 所述涡轮液泵套件包括导流挡板，所述导流挡板上部连接所述第一旋转升降轴，下部安装带有籽晶的籽晶托，涡轮叶片安装在所述导流挡板上，且围绕所述籽晶均匀分布，所述涡轮叶片下端的高度低于所述籽晶所在高度； 所述坩埚内部设置有导流筒，所述导流筒的外径小于所述坩埚的内径，所述导流筒上端开口，底部为开设有圆孔的底板，所述坩埚的底板固定有锥形的导流锥，所述导流锥的表面向其内部凹陷形成导流曲面，所述导流锥和所述导流筒底部的圆孔未接触，以形成液体通道； 所述导流筒高出液面，所述导流筒高出液面的高度小于籽晶和导流挡板之间的高度差，所述导流筒的内径大于多个所述涡轮叶片的外接圆的直径，小于或等于所述导流挡板的外径； 所述涡轮叶片下端的高度低于所述籽晶所在高度5~30mm，所述导流筒上端高出液面5~30mm； 所述外接圆直径和所述导流筒内直径的差为1-3mm，所述导流筒外壁和所述坩埚内壁之间间隔10-30mm，所述导流筒底部的圆孔边缘和所述导流锥的最小距离为10mm。

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