中国科学院合肥物质科学研究院刘迪龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院合肥物质科学研究院申请的专利一种具有点-墙结构的量子点膜、QLED器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442894B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512017181.X，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权一种具有点-墙结构的量子点膜、QLED器件及其制备方法是由刘迪龙;潘博一;曹安;钟世川;李越设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有点-墙结构的量子点膜、QLED器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于量子点显示技术领域，具体涉及一种具有点‑墙结构的量子点膜、QLED器件及其制备方法。该QLED器件的量子点膜包括由单层量子点构成的有序像素点以及由双层量子点构成的、位于像素点之间的电荷隔离层。所述量子点膜通过PDMS印章进行一次转印同时制备：利用量子点在液面自组装形成单层膜，通过具有特定微结构的PDMS印章拾取并转印至空穴传输层上，一次成型获得“点”与“墙”结构。该方法工艺简单高效，无需引入额外隔离材料与工艺，避免了由此导致的性能下降问题，实现了电荷隔离层的简单高效制备，在量子点显示领域具有良好应用前景。
本发明授权一种具有点-墙结构的量子点膜、QLED器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有点-墙结构的量子点膜，其特征在于，所述量子点膜包括呈有序点阵排布的量子点像素点以及分布在像素点之间的电荷隔离层，所述量子点像素点由单层量子点构成，所述电荷隔离层由双层量子点构成，所述量子点像素点和电荷隔离层通过使用PDMS印章一次转印同时制备。
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