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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所;联光元和(上海)企业发展有限公司申请的专利一种光电共封结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121454717B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610003351.0，技术领域涉及：G02B6/42；该发明授权一种光电共封结构及其制备方法是由张凯;严瑾;肖克来提;陆涵;徐高卫设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电共封结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光电共封结构及其制备方法，其中，该方法通过提供的硅光晶圆中的器件层至少包括一具有光口和第一焊盘的器件区，先形成贯穿器件区的引出柱并于器件层背离衬底层一面形成与第一焊盘及引出柱电连接的第一互连层，然后将电芯片键合至第一互连层背离器件区的一面且电芯片所显露的第二焊盘与第一互连层电连接，去除衬底层以显露出引出柱并通过该引出柱电连接第二互连层，对硅光晶圆进行分割以得到包括单个器件区且侧壁显露出光口的芯片结构，将第二互连层背离器件区的一面与基板电连接后，再将光纤阵列与光口光互连，所得到的光电共封结构不仅互连密度高、互连损耗低、体积小且可靠性高，还提高了生产效率并有效降低生产成本。

本发明授权一种光电共封结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电共封结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一包括衬底层及器件层的硅光晶圆，所述器件层至少包括一器件区，所述器件区具有光口和显露出所述器件区上表面的第一焊盘； 形成贯穿所述器件区且显露所述衬底层表面的引出孔，形成填充所述引出孔的引出柱并于所述器件层背离所述衬底层一面形成与所述第一焊盘及所述引出柱电连接的第一互连层，采用重布线层作为所述第一互连层； 提供至少一显露第二焊盘的电芯片，将所述电芯片键合至所述第一互连层背离所述器件区的一面，且所述第二焊盘与所述第一互连层电连接，所述电芯片与所述第一互连层键合的方式包括混合键合； 于所述第一互连层键合电芯片的一面形成支撑衬底并去除所述衬底层以显露出所述引出柱； 于所述器件层背离所述第一互连层的一面形成与所述引出柱电连接的第二互连层，并对所述硅光晶圆进行分割，以得到包括单个所述器件区且侧壁显露出所述光口的芯片结构，采用重布线层作为所述第二互连层； 提供一基板，将所述基板与所述第二互连层背离所述器件区的一面电连接，并将光纤阵列与所述光口光互连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;联光元和(上海)企业发展有限公司，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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