Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 成都纳川微电子科技有限公司沈金菊获国家专利权

成都纳川微电子科技有限公司沈金菊获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉成都纳川微电子科技有限公司申请的专利一种带预充电的自举采样开关电路及模数转换器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121461996B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610005232.9,技术领域涉及:H03M1/12;该发明授权一种带预充电的自举采样开关电路及模数转换器是由沈金菊;刘春华设计研发完成,并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

一种带预充电的自举采样开关电路及模数转换器在说明书摘要公布了:本发明涉及模拟及数模混合集成电路技术领域,公开了一种带预充电的自举采样开关电路及模数转换器。所述电路包括采样开关模块和时序控制模块。采样开关模块在时序控制模块产生的多相时钟信号控制下,依次工作于保持相、预充电相和跟踪相,通过在跟踪相前增加预充电相,将采样开关栅极电压预先抬升,并利用可调时钟电路动态控制预充电时间,从而有效抑制了栅极寄生电容引起的电荷分享效应。所述模数转换器包含了上述采样开关电路。本发明显著提升了采样开关的线性度与导通特性,并具备优异的时序可配置性,适用于高速高精度模数转换系统。

本发明授权一种带预充电的自举采样开关电路及模数转换器在权利要求书中公布了:1.一种带预充电的自举采样开关电路,其特征在于,包括采样开关模块和时序控制模块; 所述采样开关模块,被配置为在所述时序控制模块产生的多个时钟信号的控制下,依次工作在保持相、预充电相和跟踪相; 所述采样开关模块包括:采样开关NMOS管M13、第一开关K1、第二开关K2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、采样电容Cs、反相器INV1、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6、第七PMOS管M7、第八NMOS管M8、第九NMOS管M9、第十NMOS管M10、第十一NMOS管M12和第十二PMOS管M14; 所述采样开关NMOS管M13的栅极连接所述第一开关K1的第二端以及所述第二开关K2的第二端;所述采样开关NMOS管M13的漏极接收输入信号Vin;所述采样开关NMOS管M13的源极连接所述采样电容Cs的上极板;所述采样电容Cs的下极板接地; 所述第一开关K1的第一端连接所述第三NMOS管M3的源极、所述第十二PMOS管M14的源极以及所述第三电容C3的上极板; 所述第二开关K2的第一端连接所述第八NMOS管M8的栅极、第七PMOS管M7的漏极、所述第十一NMOS管M12的栅极以及所述第九NMOS管M9的漏极; 所述第三NMOS管M3的栅极连接所述第二NMOS管M2的栅极以及所述第四NMOS管M4的栅极;所述第三NMOS管M3的漏极和所述第四NMOS管M4的漏极连接电源电压Vdd;所述第四NMOS管M4的源极连接所述第四电容C4的上极板;所述第四电容C4的下极板连接所述第十二PMOS管M14的漏极以及所述第六NMOS管M6的漏极; 所述第五NMOS管M5和所述第六NMOS管M6的栅极均接收第二时钟信号clk2;所述第五NMOS管M5和所述第六NMOS管M6的源极均接地;所述第五NMOS管M5的漏极连接所述第三电容C3的下极板以及所述第十一NMOS管M12的源极; 所述第一NMOS管M1的栅极连接所述第二NMOS管M2的源极以及所述第二电容C2的上极板;所述第一NMOS管M1的漏极连接电源电压Vdd;所述第一NMOS管M1的源极连接所述第二NMOS管M2的栅极和所述第一电容C1的上极板;所述第二NMOS管M2的漏极连接电源电压Vdd;所述第一电容C1的下极板接收所述第二时钟信号clk2;所述第二电容C2的下极板接收第一时钟信号clk1; 所述第七PMOS管M7的源极连接所述第四NMOS管M4的源极,所述第七PMOS管M7的漏极连接所述第九NMOS管M9的漏极,所述第七PMOS管M7的栅极连接所述第十二PMOS管M14的栅极以及所述反相器INV1的输出端,所述反相器INV1的输入端接收所述第一时钟信号clk1; 所述第八NMOS管M8的源极连接所述反相器INV1的输出端,其漏极连接所述第十一NMOS管M12的源极; 所述第九NMOS管M9的栅极连接电源电压Vdd,其源极连接所述第十NMOS管M10的漏极;所述第十NMOS管M10栅极接收所述第二时钟信号clk2,其源极接地; 所述第十一NMOS管M12的漏极连接所述采样开关NMOS管M13的漏极并接收输入信号Vin; 所述时序控制模块,被配置为生成所述多个时钟信号,所述多个时钟信号包括所述第一时钟信号clk1、第二时钟信号clk2、用于控制所述第一开关K1导通或关断的第一控制信号SK1、以及用于控制所述第二开关K2导通或关断的第二控制信号SK2。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人成都纳川微电子科技有限公司,其通讯地址为:610095 四川省成都市高新区拓新东街81号2栋1单元3楼302号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。