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龙图腾网获悉山西创芯光电科技有限公司申请的专利用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121487382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610032905.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器是由王慧云;张培峰;苏莹;康自发;武浩同;张竟;韩瑞华;史均伟;李水利设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器，属于半导体制造领域；解决了铝锑化物或砷铝锑化物势垒层侧壁因暴露大气形成的富含Sb2O5的自然氧化层所导致的界面态密度高、暗电流大的问题；该方法包括以下步骤：将已完成台面刻蚀的二类超晶格红外探测器芯片清洗并干燥后装载至ALD设备的样品腔内；抽真空并加热；向远程等离子体源中通入高纯度氢气，启动远程等离子体源，通过氢等离子体将芯片势垒层侧壁表面的不稳定自然氧化层选择性地还原为挥发性的气体，并由真空系统抽走；氢等离子体处理结束后将气路切换至ALD前驱体在势垒层侧壁形成钝化膜；降温与取片；本申请应用于红外探测器。

本发明授权用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法及红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种用于二类超晶格红外探测器的台面侧壁钝化方法，其特征在于：包括以下步骤： 步骤一：样品准备与装载：将已完成台面刻蚀的二类超晶格红外探测器芯片清洗并干燥后，装载至配备有远程等离子体源的原子层沉积设备的样品腔内； 步骤二：将样品腔的腔室抽真空后将腔室内的样品台加热至合适的温度并保持温度稳定； 步骤三：原位氢等离子体预处理：通过氢气气路向远程等离子体源中通入高纯度氢气，启动远程等离子体源，通过氢等离子体将芯片势垒层侧壁表面的不稳定自然氧化层选择性地还原为挥发性的气体，并由真空系统抽走； 步骤三中启动远程等离子体源，施加功率为50-300W的射频能量，激发产生高密度的氢自由基和活性离子，通过氢自由基和活性离子与芯片势垒层表面的不稳定自然氧化层进行30-120秒的选择性还原反应，在芯片势垒层侧壁形成氢终端化表面； 进行氢等离子体预处理的原理：活性氢物种能够与芯片势垒层表面的不稳定自然氧化层发生选择性还原反应，生成挥发性的氢化物气体和水蒸气，此处理使芯片势垒层表面呈现一个富铝、氢终端化的原子级洁净状态； 步骤四：原子层沉积生长钝化层：氢等离子体处理结束后，立即关闭等离子体源及氢气气路，在不破坏腔室真空的情况下，将气路切换至原子层沉积前驱体在芯片势垒层侧壁形成钝化膜； 步骤五：降温与取片； 二类超晶格红外探测器芯片为nBn型或XBn型中波二类超晶格探测器芯片； 芯片势垒层为铝锑化物势垒层；芯片势垒层表面的不稳定自然氧化层包括Sb2O3和Sb2O5。

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