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龙图腾网获悉香港科技大学(广州)申请的专利集成光子学芯片耦合系统及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121500486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-03发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610024840.4，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权集成光子学芯片耦合系统及其控制方法是由曾世豪设计研发完成，并于2026-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成光子学芯片耦合系统及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明提供集成光子学芯片耦合系统及其控制方法，集成光子学芯片耦合系统，包括芯片样品台、连接有镜筒的光束接收器、输入光纤以及光纤调节台；所述芯片样品台用于放置待测芯片；所述光束接收器设置在待测芯片出光口一侧；所述输入光纤与光纤调节台设置在待测芯片入光口一侧，所述光纤调节台上固定有输入光纤。通过在镜筒内设置分束镜，通过LED光照与待测芯片入光口位置的调整实现光纤与待测芯片的对准，再通过输入光纤位置的调整好找到待测芯片与输入光纤之间的最佳耦合点，从而实现待测芯片的耦合。

本发明授权集成光子学芯片耦合系统及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种集成光子学芯片耦合系统的控制方法，所述控制方法应用于集成光子学芯片耦合系统，其特征在于，所述集成光子学芯片耦合系统，包括芯片样品台、连接有镜筒的光束接收器、输入光纤以及光纤调节台； 所述芯片样品台用于放置待测芯片； 所述光束接收器设置在待测芯片出光口一侧； 所述输入光纤与光纤调节台设置在待测芯片入光口一侧，所述光纤调节台上固定有输入光纤； 所述控制方法包括： 步骤S1，将待测芯片固定在芯片样品台； 步骤S2，获取待测芯片的几何参数； 步骤S3，根据所述几何参数调整镜筒，使镜筒对准待测芯片的入光口； 步骤S4，当所述镜筒对准待测芯片的入光口后，开启LED光源； 步骤S5，根据入光口位置与输入光纤的距离调整光纤调节台，使得输入光纤与待测芯片的入光口对准； 步骤S6，若所述输入光纤与待测芯片的入光口对准，调整镜筒对准至待测芯片出光口； 步骤S7，当所述镜筒对准待测芯片的出光口后，关闭LED光源，并且将分束镜切出镜筒； 步骤S8，开启输入光纤连接的外部激光器； 步骤S9，按预设位移大小调整光纤调节台，使输出光纤在预设范围内移动，并记录光束接收器在每个输出光纤位置对应的待测芯片出光口的光功率； 步骤S10，比较各个输出光纤位置对应的待测芯片出光口的光功率，并记录光功率最大的输出光纤位置； 步骤S11，按预设策略缩小预设位移大小，以上一次移动输出光纤的光功率最大的输出光纤位置为起点，按缩小后预设位移大小调整光纤调节台，重复执行步骤S9-步骤S10，直至上一次移动输出光纤的光功率最大的输出光纤位置与下一次移动输出光纤的光功率最大的输出光纤位置距离小于设定阈值； 当待测芯片为水平耦合时，输入光纤仅在x轴和y轴方向上移动，当待测芯片为垂直耦合时，输入光纤仅在x轴和z轴方向上移动。

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